Содержание

Статья 193 ТК РФ. Порядок применения дисциплинарных взысканий

До применения дисциплинарного взыскания работодатель должен затребовать от работника письменное объяснение. Если по истечении двух рабочих дней указанное объяснение работником не предоставлено, то составляется соответствующий акт.

Непредоставление работником объяснения не является препятствием для применения дисциплинарного взыскания.

Дисциплинарное взыскание применяется не позднее одного месяца со дня обнаружения проступка, не считая времени болезни работника, пребывания его в отпуске, а также времени, необходимого на учет мнения представительного органа работников.

Дисциплинарное взыскание, за исключением дисциплинарного взыскания за несоблюдение ограничений и запретов, неисполнение обязанностей, установленных законодательством Российской Федерации о противодействии коррупции, не может быть применено позднее шести месяцев со дня совершения проступка, а по результатам ревизии, проверки финансово-хозяйственной деятельности или аудиторской проверки – позднее двух лет со дня его совершения.

Дисциплинарное взыскание за несоблюдение ограничений и запретов, неисполнение обязанностей, установленных законодательством Российской Федерации о противодействии коррупции, не может быть применено позднее трех лет со дня совершения проступка. В указанные сроки не включается время производства по уголовному делу.

За каждый дисциплинарный проступок может быть применено только одно дисциплинарное взыскание.

Приказ (распоряжение) работодателя о применении дисциплинарного взыскания объявляется работнику под роспись в течение трех рабочих дней со дня его издания, не считая времени отсутствия работника на работе. Если работник отказывается ознакомиться с указанным приказом (распоряжением) под роспись, то составляется соответствующий акт.

Дисциплинарное взыскание может быть обжаловано работником в государственную инспекцию труда и (или) органы по рассмотрению индивидуальных трудовых споров.

ст. 193 Трудового Кодекса РФ в текущей редакции и комментарии к ней

До применения дисциплинарного взыскания работодатель должен затребовать от работника письменное объяснение. Если по истечении двух рабочих дней указанное объяснение работником не предоставлено, то составляется соответствующий акт .
Непредоставление работником объяснения не является препятствием для применения дисциплинарного взыскания .

Дисциплинарное взыскание применяется не позднее одного месяца со дня обнаружения проступка, не считая времени болезни работника, пребывания его в отпуске, а также времени, необходимого на учет мнения представительного органа работников.

Дисциплинарное взыскание не может быть применено позднее шести месяцев со дня совершения проступка, а по результатам ревизии, проверки финансово-хозяйственной деятельности или аудиторской проверки – позднее двух лет со дня его совершения. В указанные сроки не включается время производства по уголовному делу.

За каждый дисциплинарный проступок может быть применено только одно дисциплинарное взыскание.

Приказ (распоряжение) работодателя о применении дисциплинарного взыскания объявляется работнику под роспись в течение трех рабочих дней со дня его издания, не считая времени отсутствия работника на работе. Если работник отказывается ознакомиться с указанным приказом (распоряжением) под роспись, то составляется соответствующий акт .
Дисциплинарное взыскание может быть обжаловано работником в государственную инспекцию труда и (или) органы по рассмотрению индивидуальных трудовых споров .

Комментарий к статье 193 ТК РФ

1. Комментируемая статья устанавливает порядок (правила) привлечения работников к дисциплинарной ответственности.

В соответствии с ч. 1 данной статьи работодатель до применения дисциплинарного взыскания должен потребовать от работника объяснение в письменной форме. Такое объяснение необходимо для выяснения всех обстоятельств совершения дисциплинарного проступка, его противоправности, а также степени вины работника, совершившего проступок. Однако непредставление работником письменного объяснения не является препятствием для применения взыскания. Если по истечении двух рабочих дней указанное объяснение работником не представлено, то составляется соответствующий акт.

В случае спора о правомерности применения дисциплинарного взыскания такой акт будет являться доказательством соблюдения работодателем правил привлечения к дисциплинарной ответственности.

2. Часть 3 комментируемой статьи ограничивает возможность применения дисциплинарного взыскания определенными сроками давности.

Дисциплинарное взыскание может быть применено к работнику не позднее одного месяца со дня его обнаружения. Месячный срок для наложения дисциплинарного взыскания исчисляется со дня обнаружения проступка. Днем обнаружения проступка, с которого начинается течение месячного срока, считается день, когда лицу, которому по работе (службе) подчинен работник, стало известно о совершении проступка. При этом не имеет значения, наделено ли это лицо правом наложения дисциплинарных взысканий.

В срок, установленный для применения взыскания, не засчитывается время, в течение которого работник отсутствовал на работе из-за болезни или в связи с нахождением в отпуске. При этом к отпуску, прерывающему течение месячного срока, относятся все отпуска, предоставляемые работодателем в соответствии с законодательством, в т. ч. ежегодные (основные и дополнительные), отпуска в связи с обучением в учебных заведениях, отпуска без сохранения заработной платы (п. 34 Постановления Пленума ВС РФ от 17.03.2004 N 2).

В тех случаях, когда в качестве дисциплинарного взыскания применяется увольнение, в указанный срок не включается также время, необходимое на соблюдение процедуры учета мнения представительного органа работников, если учет такого мнения является обязательным (ст. ст. 82, 373 ТК, см. коммент. к ним).

Отсутствие работника на работе по другим основаниям, в т.ч. в связи с использованием дней отдыха (отгулов) независимо от их продолжительности (например, при вахтовом методе организации работы), не прерывает течения указанного срока.

При применении дисциплинарного взыскания в виде увольнения по подп. “г” п. 6 ч. 1 ст. 81 ТК месячный срок исчисляется со дня вступления в силу приговора суда либо постановления судьи, органа, должностного лица, уполномоченных рассматривать дела об административных нарушениях (п. 44 Постановления Пленума ВС РФ от 17.03.2004 N 2).

Не допускается применение дисциплинарного взыскания по истечении одного месяца со дня обнаружения проступка или по истечении шести месяцев со дня его совершения. Если дисциплинарный проступок обнаружен в результате ревизии, проверки финансово-хозяйственной деятельности или аудиторской проверки, работодатель вправе применить к работнику дисциплинарное взыскание в течение двух лет со дня совершения проступка. В указанные сроки не засчитывается время производства по уголовному делу.

3. За каждый дисциплинарный проступок к работнику может быть применено только одно дисциплинарное взыскание. Однако в тех случаях, когда неисполнение или ненадлежащее исполнение по вине работника возложенных на него трудовых обязанностей продолжалось, несмотря на наложение дисциплинарного взыскания, работодатель вправе применить к нему новое дисциплинарное взыскание, в т.ч. увольнение на основании п. 5 ч. 1 ст. 81 ТК. При этом необходимо иметь в виду, что работодатель вправе применить к работнику дисциплинарное взыскание и тогда, когда он до совершения проступка подал заявление о расторжении трудового договора по своей инициативе, поскольку трудовое отношение в данном случае прекращается лишь по истечении срока предупреждения об увольнении (п.

33 Постановления Пленума ВС РФ от 17.03.2004 N 2).

Однако работника, прекратившего трудовое отношение с работодателем, нельзя подвергнуть дисциплинарному взысканию.

Дисциплинарное взыскание применяется руководителем организации. Другие должностные лица могут применять дисциплинарные взыскания, если такие полномочия им предоставлены соответствующими документами (уставом организации, приказом руководителя и др.).

Применение взыскания за совершение дисциплинарного проступка является правом, а не обязанностью работодателя. Поэтому работодатель может, учитывая все обстоятельства дела, не налагать взыскание на работника, совершившего дисциплинарный проступок, а ограничиться беседой с ним или устным замечанием. Применяя дисциплинарное взыскание, необходимо строго соблюдать установленные для этого правила. Если при наложении дисциплинарного взыскания эти правила будут нарушены работодателем, орган, рассматривающий трудовой спор о правомерности наложения взыскания, может признать применение дисциплинарного взыскания неправомерным.

4. Применение дисциплинарного взыскания оформляется приказом (распоряжением) работодателя. В приказе (распоряжении) указывается основание применения взыскания, т.е. конкретный дисциплинарный проступок, за совершение которого работник подвергнут дисциплинарному взысканию, и его вид (замечание, выговор и др.). При этом необходимо иметь в виду, что в случае применения дисциплинарного взыскания в виде увольнения издается один приказ об увольнении, а не два отдельных приказа (приказ о наложении взыскания в виде увольнения и приказ о прекращении трудового договора), как это иногда имеет место на практике.

На это обстоятельство обратила внимание Судебная коллегия по гражданским делам Верховного Суда РФ. В Апелляционном определении от 09.11.2012 N 60-АПГ12-7 по делу Ш. указано, что оформление применения к работнику дисциплинарного взыскания в виде увольнения и прекращения трудового договора с работником отдельными приказами основано на ошибочном толковании норм трудового права.

Издание приказа о применении к истцу дисциплинарного взыскания в виде увольнения само по себе свидетельствовало о расторжении с ним трудового договора, поскольку указанное в этом приказе основание увольнения, а именно п. 5 ч. 1 ст. 81 ТК, содержится в перечне оснований расторжения трудового договора по инициативе работодателя, предусмотренном ст. 81 ТК. В силу п. 4 ч. 1 ст. 77 ТК расторжение трудового договора по инициативе работодателя (ст. ст. 71 и 81 ТК) является основанием прекращения трудового договора. Таким образом, оснований для издания приказа от 04.07.2012 N 236-к о прекращении с истцом трудового договора после увольнения его на основании приказа от 30.05.2012 N 194-к у ответчика не имелось.

Приказ (распоряжение) о наложении взыскания объявляется работнику под роспись в течение трех рабочих дней со дня его издания, не считая времени отсутствия работника на работе. Если работник по тем или иным причинам отказывается ознакомиться с приказом (распоряжением) о применении к нему дисциплинарного взыскания под роспись, то составляется соответствующий акт.

По сложившейся практике приказ о применении взыскания доводится до сведения всех работников организации.

Если, по мнению работника, дисциплинарное взыскание применено к нему необоснованно или мера взыскания не соответствует тяжести совершенного проступка, он вправе обжаловать дисциплинарное взыскание в государственную инспекцию труда и (или) органы по рассмотрению индивидуальных трудовых споров в установленном законом порядке.

Другой комментарий к статье 193 ТК РФ

§ 1. В соответствии с ч. 1 комментируемой статьи до применения дисциплинарного взыскания от работника должно быть затребовано письменное объяснение причин проступка. Работник обязан дать объяснение в течение двух рабочих дней, если же такового не представлено, составляется соответствующий акт. Отказ дать объяснение не является препятствием для дисциплинарного взыскания. Требование к работнику предоставить объяснения – одна из гарантий того, что наложение взыскания будет правомерно.

Отсутствие объяснения должно быть подтверждено соответствующим актом об отказе работника дать объяснение.

Работодатель имеет право привлекать работников к дисциплинарной ответственности (см. ст. 22 и комментарий к ней). От имени работодателя – юридического лица (организации) таким правом обладает руководитель. Он может делегировать это право другому лицу, например одному из своих заместителей, руководителей филиала, представительства и др. Это касается замечания и выговора. Что касается увольнения как меры взыскания, то это право предоставлено тем лицам, которые наделены правом приема на работу и увольнения.

§ 2. Днем обнаружения дисциплинарного проступка считается день, когда должностному лицу, которому подчинен работник, стало известно о проступке, независимо от того, наделено это лицо правом наложения взысканий или нет. В месячный срок для наложения взыскания не засчитывается время болезни работника или нахождения его в отпуске (очередном, учебном, оплачиваемом или без сохранения содержания). Отсутствие на работе по другим основаниям не прерывает течение указанного срока. Однако на практике время прогула, когда работник мог не знать о наложении взыскания, обычно не включается в данный месячный срок, и последний начинает исчисляться с момента выхода работника на работу.

Но в любом случае взыскание не может быть наложено по истечении шести месяцев со дня совершения проступка, независимо от времени его обнаружения. Исключение составляют проступки, которые обнаружены по результатам ревизий и проверок финансово-хозяйственной деятельности или аудиторской проверки. В этом случае срок удлиняется до двух лет со дня совершения проступка. В указанные сроки не включается время производства по уголовному делу.

§ 3. Часть 5 ст. 193 ТК РФ не допускает применения нескольких дисциплинарных взысканий за один проступок. Однако при причинении ущерба работником возможно сочетание дисциплинарных и материальных санкций, поскольку дисциплинарная и материальная ответственность имеют разное целевое назначение и могут совмещаться.

Это же правило распространяется и на так называемые длящиеся правонарушения, когда противоправное действие (бездействие) продолжается, несмотря на применение взыскания. Здесь также возможно повторение санкции за невыполнение трудовых обязанностей до прекращения правонарушения.

§ 4. Если работник увольняется по подп. “г” п. 6 ст. 81 Кодекса, месячный срок в данном случае будет исчисляться со дня вступления в законную силу приговора суда, которым установлена вина работника в совершении по месту работы хищения чужого имущества (в том числе мелкого), растраты, умышленного уничтожения или повреждения имущества, либо постановления органа, уполномоченного на применение административных взысканий.

§ 5. Наложение на виновного работника дисциплинарного взыскания не препятствует привлечению его к материальной ответственности за ущерб, причиненный работодателю (см. ст. 238 и комментарий к ней).

§ 6. В трудовую книжку работника сведения о наложении взысканий не заносятся. Не вносятся они и в личную карточку работника (унифицированная форма N Т-2, утвержденная Постановлением Госкомстата России от 6 апреля 2001 г. N 26). Исключение составляет увольнение работника как дисциплинарное взыскание.

§ 7. Приказ (распоряжение) о применении дисциплинарного взыскания объявляется работнику под расписку в течение трех рабочих дней со дня его издания, не считая времени отсутствия работника на работе. В случае его отказа расписаться составляется соответствующий акт, который подписывают свидетельствующие этот факт лица.

§ 8. Трудовой кодекс РФ установил дополнительные гарантии для некоторых категорий работников при наложении дисциплинарных взысканий. Так, ст. 374 ТК установлены дополнительные гарантии работникам, входящим в состав выборных профсоюзных коллективных органов и не освобожденным от основной работы. А в ст. 376 ТК предусмотрены гарантии работникам, являющимся ранее членами выборного профсоюзного органа.

Кроме того, закреплены гарантии для работников, участвующих в забастовке, за исключением случаев неисполнения ими обязанности прекратить забастовку в соответствии с ч. 6 ст. 413 ТК (см. ст. 414 и комментарий к ней).

§ 9. Наложенное дисциплинарное взыскание может быть обжаловано работником в органы по рассмотрению индивидуальных споров (комиссию по трудовым спорам и суд) или в государственную инспекцию труда.

§ 10. Орган, рассматривающий трудовой спор работника о неправомерности наложенного взыскания, может его отменить, если найдет, что оно, в частности, не соответствует тяжести совершенного правонарушения. Однако заменить его другим он не вправе. Администрация же в этом случае может применить иное взыскание, но только с соблюдением сроков, указанных в ч. 3 и 4 ст. 193 ТК.

Новости социальной поддержки

Порядок подачи и рассмотрения электронных обращений граждан

Обращение, направленное на официальный сайт Министерства по электронной почте, должно содержать фамилию, имя, отчество заявителя, почтовый адрес, по которому должен быть направлен ответ, контактный телефон, суть обращения (далее – Интернет-обращение).

Интернет-обращение, поступившее на официальный сайт по электронной почте, распечатывается, и в дальнейшем работа с ним ведется в установленном порядке в соответствии с Федеральным законом от 02.05.2006 г. N 59-ФЗ “О порядке рассмотрения обращений граждан Российской Федерации”, административным регламентом предоставления министерством труда и социальной защиты населения Ставропольского края государственной услуги “Организация приема граждан, обеспечение своевременного и полного рассмотрения обращений граждан, принятие по ним решений и направление ответов заявителям в установленный законодательством Российской Федерации срок” (далее – Административный регламент). По электронному адресу, указанному в обращении направляется уведомление о приеме обращения.

Для приема Интернет-обращения заявителя в форме электронного сообщения применяется специализированное программное обеспечение, предусматривающее заполнение заявителем, реквизитов, необходимых для работы с обращениями и для письменного ответа. Адрес электронной почты заявителя (законного представителя) и электронная цифровая подпись являются дополнительной информацией.

Основаниями для отказа в рассмотрении Интернет-обращения, помимо указанных оснований, в пункте 2.9 Административного регламента, также являются:

  • отсутствие адреса (почтового или электронного) для ответа;
  • поступление дубликата уже принятого электронного сообщения;
  • некорректность содержания электронного сообщения.

Ответ заявителю на Интернет-обращение может направляться как в письменной форме, так и в форме электронного сообщения.

Заявителю гарантируется не разглашение без его согласия сведений, содержащихся в Интернет-обращении, а также сведений, касающихся частной жизни гражданина. Информация о персональных данных заявителей хранится и обрабатывается с соблюдением требований российского законодательства о персональных данных.

Интернет-обращения представляются руководству Министерства для рассмотрения. На наиболее часто задаваемые вопросы периодически публикуются ответы руководителей Министерства. Ваш вопрос, заданный в Интернет-обращении может быть опубликован на сайте в обезличенной форме.

Закрыть

Порядок применения дисциплинарного взыскания – Официальный сайт Администрации Санкт‑Петербурга

 

Вопрос: В каком порядке накладывается дисциплинарное взыскание  в виде увольнения и как его можно оспорить. 

 

Ответ:  Порядок наложения дисциплинарного взыскания, в т.ч. в виде  увольнения,  установлен ст. 193 Трудового кодекса РФ (ТК РФ). 

       До применения взыскания от работника истребуется письменное объяснение причин неисполнения или ненадлежащего исполнения  возложенных на него трудовых обязанностей, при непредоставлении которого в течение 2-х рабочих дней составляется соответствующий акт. 

      Отказ представить  объяснение не препятствует наложению дисциплинарного взыскания.  

       Срок на применение взыскания – 1  месяц со дня обнаружения проступка, не считая времени болезни работника, нахождения его в отпуске, а также времени, необходимого на учет мнения представительного органа работников. 

       Дисциплинарное взыскание, за исключением дисциплинарного взыскания за несоблюдение ограничений и запретов, неисполнение обязанностей, установленных законодательством Российской Федерации о противодействии коррупции, не может быть применено позднее 6 месяцев со дня совершения проступка, а по результатам ревизии, проверки финансово-хозяйственной деятельности или аудиторской проверки – позднее 2-х лет со дня его совершения. 

      Дисциплинарное взыскание за несоблюдение ограничений и запретов, неисполнение обязанностей, установленных законодательством Российской Федерации о противодействии коррупции, не может быть применено позднее 3-х лет со дня совершения проступка. В указанные сроки не включается время производства по уголовному делу.  

     Работодатель обязан объявить работнику приказ о наказании  под роспись в течение 3-х рабочих дней со дня его издания не считая времени отсутствия работника на работе. В случае отказа от ознакомления составляется акт. 

      Если работник не согласен с наложенным дисциплинарным взысканием он вправе оспорить его в 3-х месячный срок, исчисляемый с момента, когда он узнал или должен был узнать о нарушении своего права, а по спорам об увольнении – в течение одного месяца со дня вручения ему копии приказа об увольнении либо со дня выдачи трудовой книжки в судебном порядке (ст. 392 ТК РФ).   

      При подаче заявления в суд госпошлина не уплачивается (ст. 393 ТК РФ). 

      Требования к  форме и содержанию заявления в суд  изложены в ст. 131 Гражданского процессуального кодекса РФ. 

 

 

О порядке применения дисциплинарного взыскания

Если работник, например, опоздал на работу, прогулял или не выполнил свои обязанности, работодатель может его наказать. Но важно помнить, что права работника защищает закон.

За что можно наказать работника?

Проступки работников делят на два типа — невыполнение условий трудового договора и правил внутреннего распорядка на предприятии.

Виды дисциплинарных взысканий четко описаны в ст. 192 ТК РФ. Если сотрудник по своей вине не исполнил возложенные договором обязанности, то к нему можно применить: замечание; выговор; увольнение. Одно нарушение = одно наказание.

В общем случае выбирать можно только из этих трех вариантов. Остальные, выдуманные работодателем, незаконны. На практике урезают зарплату или объявляют строгий выговор. Таких форм нет в ТК РФ, а значит, их применять нельзя.

При этом специальными законодательными актами могут быть предусмотрены иные виды взысканий, например: строгий выговор для военнослужащих, перевод на нижестоящую должность или увольнение в связи со взяткой и т.п.

Чтобы выбрать подходящее наказание, оценивают тяжесть проступка и обстоятельства, в которых он совершен. Голословно обвинить человека нельзя, нужны доказательства.

Дисциплинарное взыскание, даже в форме замечания, оформляется приказом и заверяется подписью директора.

При этом нужно успеть в сроки:

30 дней со дня обнаружения проступка (когда непосредственному начальнику стало известно об этом). Нетрудоспособность и отпуска сюда не входят — если нарушитель болеет, сроки будут продлены;

не позднее 6 мес. со дня совершения проступка, а по ревизии или аудиторской проверке — 2 года. Сюда не включается время производства по уголовному делу.

Включать наказание в личное дело работника или нет, решает фирма. Но в трудовой книжке его не фиксируют (ст. 66 ТК РФ): награждения за успехи вносятся, а взыскания — нет.

 Порядок применения дисциплинарных взысканий установлен ст. 193 Трудового кодекса РФ.

Согласно данной статье работодатель до применения дисциплинарного взыскания должен затребовать от работника письменное объяснение. Такое объяснение необходимо для выяснения всех обстоятельств совершения дисциплинарного проступка, его противоправности, а также степени вины работника, совершившего проступок. Если по истечении двух рабочих дней указанное объяснение работником не предоставлено, то составляется соответствующий акт.Отказ работника дать письменное объяснение не может служить препятствием для применения взыскания. В случае спора о правомерности применения дисциплинарного взыскания такой акт будет служить доказательством соблюдения работодателем правил привлечения к дисциплинарной ответственности.

За каждый дисциплинарный проступок к работнику может быть применено только одно дисциплинарное взыскание. Однако в тех случаях, когда неисполнение или ненадлежащее исполнение по вине работника возложенных на него трудовых обязанностей продолжалось, несмотря на наложение дисциплинарного взыскания, возможно применение к работнику нового дисциплинарного взыскания, в том числе и увольнение по п. 5 ч. 1 ст. 81 Трудового кодекса РФ.

Работодатель вправе применить к работнику дисциплинарное взыскание за дисциплинарный проступок и тогда, когда он до совершения проступка подал заявление о расторжении трудового договора по собственному желанию, поскольку трудовые отношения в данном случае прекращаются лишь по истечении срока предупреждения об увольнении.

Увольнение «потерявшихся» сотрудников | «Правовест Аудит»

Если работник отсутствует на рабочем месте без уважительных причин, то его можно уволить за прогул (п. 6 ч. 1 ст. 81 ТК РФ). При этом увольнять сотрудника до его появления на работе или получения работодателем уведомления, подтверждающего вручение работнику письма с требованием объяснить причины отсутствия, рискованно.

Перед увольнением, необходимо выяснить причины отсутствия работника. При увольнении за прогул работодатель обязан доказать, что работник отсутствовал без уважительных причин, а также то, что установленный порядок увольнения соблюден (п.п. 23, 38 постановления Пленума ВС РФ от 17.03.2004 № 2).

По истечении одного года с последних сведений о работнике в месте жительства можно в судебном порядке добиться признания работника безвестно отсутствующим (ст. 42 ГК РФ). В случае признания работника безвестно отсутствующим он может быть уволен (п.  6 ч. 1 ст. 83 ТК РФ).

Судебная практика свидетельствует, что суды в подобных ситуациях всегда обращают внимание, предпринимались ли работодателем меры по установлению причин отсутствия работника (решение Центрального районного суда г. Сочи Краснодарского края от 13.04. 2018 по делу № 2-1392/2018 , апелляционное определение Верховного суда Татарстана от 14.01.2016 по делу № 33-572/2016, апелляционное определение Судебной коллегии по гражданским делам Иркутского областного суда от 30.10.2012 по делу № 33-8733-12).

Увольнять сотрудника за прогул без соответствующего порядка и наличия документальных доказательств — достаточно рискованно. Есть вероятность, что причины отсутствия работника могут быть уважительными и он не мог сообщить о них работодателю (например, длительная тяжелая болезнь, осуждение к наказанию, исключающее продолжение прежней работы, в соответствии с приговором суда, вступившим в законную силу, в связи со смертью работника).

Работодатель обязан в полной мере соблюсти общий порядок применения дисциплинарных взысканий, установленный законом (ст. 193 ТК РФ).

Важные этапы процедур, когда сотрудника нет на рабочем месте:

  1. Фиксация отсутствия работника. Необходим акт об отсутствии работника на рабочем месте в произвольной форме, подписанный двумя-тремя свидетелями. Законодательно не указано, как часто нужно составлять такие акты. В первое время акты об отсутствии сотрудника лучше составлять каждый день. Если причина отсутствия работника окажется неуважительной, то его можно уволить за грубое нарушение трудовой дисциплины (пп. «а» п. 6 ст. 81 ТК РФ).

    Отсутствие работника также фиксируется в табеле учета рабочего времени. Пока не установлена причина отсутствия, в табеле проставляется код «НН» — неявки по невыясненным причинам (до выяснения).

  2. Причина отсутствия работника не известна, и это может оказаться прогулом. Алгоритм дальнейших действий может проходить в соответствии со ст. 193 ТК РФ.

    Работодатель обязан затребовать от работника письменное объяснение о причинах отсутствия в конкретные рабочие дни (ч. 1 ст. 193 ТК РФ). Можно направить требование о предоставлении письменного объяснения почтой по всем известным адресам жительства и регистрации работника. Важно располагать доказательствами получения письма. Уведомление о вручении должно быть подписано лично работником. Если письмо возвращено отправителю по любой причине, его отправку нельзя считать надлежащим затребованием письменного объяснения. Работодатель в течение периода длительного отсутствия работника может периодически направлять ему письма с требованием о даче объяснений, ожидая, когда работник лично распишется в уведомлении.

    Если письма возвращаются в связи с отсутствием адресата, нужно фиксировать это в журнале входящей корреспонденции и составить акт о невозможности получить письменные объяснения от работника.

    Если работник получил письмо работодателя с требованием пояснить отсутствие на рабочем месте (есть почтовое уведомление с подписью о получении письма) и прошло 2 рабочих дня с момента получения письма, а объяснения нет, то составляется соответствующий акт о непредставлении работником письменного объяснения.

    Непредставление работником объяснения не является препятствием для применения дисциплинарного взыскания (ч.2 ст. 193 ТК РФ).

    На основании акта об отсутствии на рабочем месте, письменного объяснения, свидетельствующего о неуважительности причин неявки /акта о непредставлении работником письменного объяснения — работодатель издает приказ (распоряжение) об увольнении. Важно помнить, что отрезок времени между последним днем заактированного прогула , о котором работодатель затребовал объяснение, и днем издания приказа не должен превышать 1 месяц. Если соблюсти срок не получилось, необходимо в отношении более поздних дней прогула повторить всю процедуру, начиная с составления акта об отсутствии и затребования объяснения.

    С приказом (распоряжением) об увольнении работник ознакамливается под роспись, если это невозможно, на приказе (распоряжении) производится соответствующая запись (ст. 84.1 ТК РФ). Формулировка может быть такой: «Работник отсутствует на рабочем месте. Ознакомить с приказом не представляется возможным».

    На основании приказа об увольнении делается запись в трудовую книжку (например, «уволен в связи с однократным грубым нарушением трудовых обязанностей (прогулом), пункт 6 части 1 статьи 81 Трудового кодекса Российской Федерации»). Трудовую книжку необходимо отдать работнику в день оформления увольнения. В случае, когда сделать это не представляется возможным, необходимо направить по месту жительства работника (известному работодателю) уведомление о необходимости явиться за трудовой книжкой либо дать согласие на отправление ее по почте (ст. 84.1 ТК РФ). В этом же письме можно отправить копию приказа об увольнении. Направлять документы нужно ценным письмом с описью вложения и уведомлением о вручении.

  3. Если работник так и не вышел на связь, не представил пояснения, можно организовать служебное расследование, издав приказ о его проведении и назначив для этого комиссию (поиск по информации в личной карточке, информация от родственников работника). В завершении комиссия издает акт об итогах расследования, который будет дополнительным доказательством попыток самостоятельного поиска работника и получения от него объяснений причин отсутствия.

  4. Обращение в полицию. Если попытка найти «пропавшего» работника самостоятельно не удалась, и от имени родственников запрос в полицию никто не подавал, такой запрос вправе сделать работодатель.

    Работодатель имеет право обратиться в полицию с целью поиска работника (ст. 12 п. 12 Федерального закона от 07.02.2011 года № 3-ФЗ «О полиции»). Заявление подается либо в дежурную часть ОВД по месту жительства сотрудника либо по месту нахождения организации.

  5. Обращение в суд. Гражданин по заявлению заинтересованных лиц может быть признан судом безвестно отсутствующим, если в течение года в месте его жительства нет сведений о месте его пребывания (ст. 42 ГК РФ). Срок исчисляется с момента получения последних сведений о пропавшем человеке. При невозможности установить день получения последних сведений началом исчисления срока для признания безвестного отсутствия считается первое число месяца, следующего за тем, в котором были получены последние сведения об отсутствующем, а при невозможности установить этот месяц — первое января следующего года (ст. 42 ГК РФ).

    О возможности признать работника безвестно отсутствующим именно работодателем свидетельствует и судебная практика (решение Центрального районного суда г. Сочи Краснодарского края от 13.04. 2018 года по делу № 2-1392/2018). Как правило, организации необходимо признать сотрудника без вести пропавшим, для того чтобы заочно, но на законных основаниях расторгнуть с ним трудовой договор.

    Если работник будет признан судом безвестно отсутствующим, его можно уволить на основании п. 6 ч. 1 ст. 83 ТК РФ, то есть расторгнуть договор по обстоятельствам, не зависящим от воли сторон.

Также следует отметить позицию Роструда в аналогичной ситуации. Так, если работник не выходит на связь, не получает заказные письма, телефонные номера сменил и не появляется на рабочем месте более месяца, уволить его за прогул возможно при одновременном выполнении следующих условий (Информационный портал Роструда «Онлайнинспекция.РФ», ноябрь 2020):

  1. работник без уважительных причин отсутствовал на рабочем месте более 4 часов подряд;
  2. работодатель затребовал от работника письменные объяснения причин его отсутствия на рабочем месте и получил их, либо получил отказ в даче объяснений;
  3. работодатель ознакомил работника с приказом о применении дисциплинарного взыскания либо получил от работника отказ от ознакомления с данным приказом.

Если хотя бы одно из вышеуказанных условий выполнено не будет, то увольнение работника за прогул невозможно.

ТОП популярных вопросов Линии консультаций (18.05.2021)


От нашего пользователя поступил вопрос:
Ситуация в следующем:  Сотрудник компании последний раз появился на работе в январе 2021 г.  Написал заявление на административный отпуск на 12 дней. После окончания отпуска сотрудник на работу не вышел. Были организованы патрули по месту жительства (регистрации) – сотрудник обнаружен не был. Спустя время после самостоятельных поисков, не давших результата, было направлено заявление участковому с просьбой, помочь найти пропавшего человека.Получен ответ: сотрудник находится в городе, проживает по другому адресу и выходит на связь с коллегами по работе, включая руководство, не желает. Просит не беспокоить его.

Сотрудники МВД уведомили организацию, что передать данные местонахождения сотрудника не имеют права, т.к. согласие сотрудника на передачу личных данных не получено.

Вопрос: как уволить сотрудника, местонахождение которого не известно, взаимоотношения лично не возможны. Место регистрации известно лишь то, что отражено в паспортных данных сотрудника при приеме на работу.

Ответ Эксперта Линии консультаций по юридическим вопросам
Кривицкой Нины
Добрый день!

Рассмотрев Ваш вопрос, сообщаем:

В соответствии с подп. “а” п. 6 части первой ст. 81 ТК РФ трудовой договор может быть расторгнут по инициативе работодателя в случае прогула, т. е. отсутствия работника на рабочем месте без уважительных причин в течение всего рабочего дня (смены) независимо от его (ее) продолжительности, а также в случае отсутствия на рабочем месте без уважительных причин более четырех часов подряд в течение рабочего дня (смены).

Если работодатель хочет уволить работника за прогул, то сделать это будет возможно при одновременном выполнении следующих условий:

  • работник без уважительных причин отсутствовал на рабочем месте более 4 часов подряд;

  • работодатель затребовал от работника письменные объяснения причин его отсутствия на рабочем месте и получил либо их, либо отказ в даче объяснений;

  • работодатель ознакомил работника с приказом о применении дисциплинарного взыскания либо получил от работника отказ от ознакомления с данным приказом.

Если хотя бы одно из вышеуказанных условий выполнено не будет, то увольнение работника за прогул невозможно.

Отметим, что в судебной практике имеется позиция, согласно которой факт непроживания работника по месту регистрации и в связи с этим неполучение им почтовой корреспонденции не свидетельствуют о ненадлежащем уведомлении о необходимости представить объяснения по факту отсутствия в силу того, что работник сведений о смене места жительства работодателю не предоставлял. В связи с этим суды приходили к выводу о соблюдении работодателем порядка увольнения за прогул (определение Московского областного суда от 11.12.2012 N 33-26211/2012, решение Борисоглебского городского суда Воронежской области от 22.11.2012 N 2-1668/2012). 

Обоснование:

Согласно ч. 1 ст. 192 ТК РФ за совершение дисциплинарного проступка, то есть неисполнение или ненадлежащее исполнение работником по его вине возложенных на него трудовых обязанностей, работодатель имеет право применить следующие дисциплинарные взыскания:

1) замечание;

2) выговор;

3) увольнение по соответствующим основаниям.

К дисциплинарным взысканиям, в частности, относится увольнение работника по основаниям, предусмотренным пунктом 6 части первой статьи 81 ТК РФ (ч. 3 ст. 192 ТК РФ).

Согласно ч. 1 ст. 193 ТК РФ до применения дисциплинарного взыскания работодатель должен затребовать от работника письменное объяснение. Если по истечении двух рабочих дней указанное объяснение работником не представлено, то составляется соответствующий акт.

Непредставление работником объяснения не является препятствием для применения дисциплинарного взыскания (ч. 2 ст. 193 ТК РФ).

Приказ (распоряжение) работодателя о применении дисциплинарного взыскания объявляется работнику под роспись в течение трех рабочих дней со дня его издания, не считая времени отсутствия работника на работе. Если работник отказывается ознакомиться с указанным приказом (распоряжением) под роспись, то составляется соответствующий акт (ч. 6 ст. 193 ТК РФ).

При увольнении за прогул на работодателя возлагается обязанность доказывать то, что работник отсутствовал без уважительных причин, а также то, что установленный порядок увольнения за прогул был соблюден (п. 23, 38 постановления Пленума Верховного Суда РФ от 17.03.2004 N 2 “О применении судами Российской Федерации Трудового кодекса Российской Федерации”; далее – Постановление N 2).

Соответственно, работодателю необходимо предпринять меры по выяснению причин отсутствия работника. По нашему мнению, увольнять сотрудника за прогул до его появления на работе не рекомендуется, поскольку всегда есть вероятность, что причины его отсутствия окажутся уважительными, а сотрудник не имел возможности сообщить о них работодателю (например, длительная тяжелая болезнь).

Если работодатель все же решит пойти на риск и уволить отсутствующего работника за прогул, он обязан в полной мере соблюсти общий порядок применения дисциплинарных взысканий, установленный ст. 193 ТК РФ. Если такой порядок будет нарушен, то в случае возникновения судебного разбирательства суд, скорее всего, признает увольнение незаконным, даже если будет доказан факт совершения работником прогула.

Прежде всего работодателю необходимо зафиксировать факт отсутствия работника на рабочем месте. Для этого в первый день отсутствия работника следовало составить соответствующий акт. Составляется он в произвольной форме и подписывается двумя-тремя свидетелями. Если работник длительное время не выходил на работу, как в рассматриваемом случае, и причины его отсутствия были неизвестны, то составлять такие акты рекомендуется периодически в течение всего периода отсутствия.

Факт отсутствия работника также следует зафиксировать в табеле учета рабочего времени. Если табель ведется по одной из форм, утвержденной постановлением Госкомстата России от 05.01.2004 N 1, дни отсутствия работника на работе отмечаются путем проставления буквенного кода “НН” или цифрового кода “30”, который затем, когда точно станет известно, что уважительных причин отсутствия не было, исправляется на код “ПР” (“24”). С момента фиксации в кадровых документах отсутствия работника на рабочем месте имеются все основания не начислять отсутствующему работнику заработную плату.

Кроме того, согласно ст. 193 ТК РФ до применения к работнику меры дисциплинарной ответственности в виде увольнения работодатель должен взять с него письменное объяснение. Поэтому следующий этап – направление по всем известным адресам жительства и регистрации этого работника требования о предоставлении письменного объяснения, что, как видно из вопроса, работодатель сделал. Однако, на наш взгляд, этот этап следует повторить работодателю, поскольку это минимизирует риск признания увольнения незаконным.

Как следует из части первой ст. 193  К РФ, работнику для объяснения причин своего отсутствия предоставляется как минимум два рабочих дня с момента их затребования, поэтому работодателю необходимо предложить работнику явиться и дать объяснение в течение двух рабочих дней с момента получения такого требования.

Если прошло два рабочих дня с момента затребования объяснений, а объяснение работником не представлено, то составляется соответствующий акт. Непредставление работником объяснения не является препятствием для применения дисциплинарного взыскания, то есть для увольнения (часть вторая ст. 193 ТК РФ). При этом работодатель должен располагать доказательствами, что работник получил требование работодателя. Так, если, например, почтовое отправление возвращено отправителю по любой причине, его отправку нельзя считать надлежащим затребованием письменного объяснения. В подобной ситуации увольнять сотрудника за прогул не рекомендуется. Работодатель в течение периода длительного отсутствия работника может периодически обращаться к работнику (в том числе посредством направления почтового отправления) с требованием о даче объяснений, ожидая, когда работник лично распишется в уведомлении.

На практике также прибегают к следующему способу разрешения такой ситуации, который суды признают правомерным. Работодатель издает приказ о проведении проверки факта отсутствия работника на рабочем месте. При этом создается комиссия, желательно включить в нее представителей работников (представителей органа первичной профсоюзной организации). Эта комиссия выходит по известному адресу работника (желательно сделать это несколько раз) с целью застать его дома и выяснить причины его отсутствия. После такой проверки у работодателя будет иметься подтверждение того, что он предпринял все возможные усилия для выяснения причин отсутствия работника на рабочем месте и у него были основания полагать, что работник отсутствует по неуважительной причине.

В случае если работодатель решит уволить сотрудника за прогул в отсутствие доказательств получения требования о предоставлении объяснений, то факт возврата соответствующих почтовых отправлений следует зафиксировать в журнале входящей корреспонденции (если объяснение затребовано посредством направления работнику письма или телеграммы) и составить акт о невозможности получения письменных объяснений от этого работника, в котором отражается факт затребования объяснений (письмом, телеграммой, при личной встрече) работника и его неявки для дачи объяснений. Акт составляется в произвольной форме в присутствии не менее двух свидетелей.

Далее на основании акта об отсутствии на рабочем месте, акта о невозможности получения письменных объяснений от работника (акта о непредоставлении им объяснения) работодателем издается приказ (распоряжение) об увольнении. Обратите внимание, что датой приказа об увольнении должна быть дата его фактического издания в пределах сроков применения дисциплинарного взыскания, установленных ст. 193 ТК РФ, а датой увольнения будет являться последний день работы либо последний день периода, в течение которого за работником по законодательству сохраняется место работы (часть третья ст. 84.1 ТК РФ, письмо Роструда от 11.07.2006 N 1074-6-1). Так, например, если после прогула работник к работе не приступил, то днем прекращения с ним трудовых отношений будет день, предшествующий первому дню прогула.

Напомним, согласно части третьей ст. 193 ТК РФ дисциплинарное взыскание, в том числе и в виде увольнения, применяется не позднее одного месяца со дня обнаружения проступка, не считая времени болезни работника, пребывания его в отпуске, а также времени, необходимого на учет мнения представительного органа работников. Днем обнаружения проступка, с которого начинается течение месячного срока, считается день, когда лицу, которому по работе (службе) подчинен работник, стало известно о совершении проступка, независимо от того, наделено ли оно правом наложения дисциплинарных взысканий (п. 34 Постановления N 2).

Таким образом, отрезок времени между последним днем заактированного прогула, о котором работодатель затребовал объяснение, и днем издания приказа об увольнении не должен превышать одного месяца. Если уложиться в указанный срок не получилось, необходимо в отношении более поздних дней прогула повторить всю процедуру начиная с составления акта об отсутствии и затребования объяснения от работника.

С готовым приказом необходимо ознакомить работника под подпись. В случае, когда приказ (распоряжение) о прекращении трудового договора невозможно довести до сведения работника, на приказе (распоряжении) производится соответствующая запись (ст. 84.1 ТК РФ). Формулировка может быть такой: “Работник отсутствует на рабочем месте. Ознакомить его с приказом не представляется возможным”. На основании приказа об увольнении делается запись в трудовую книжку работника. Формулировка будет следующей: “Уволен в связи с однократным грубым нарушением трудовых обязанностей (прогулом), пункт 6 части первой статьи 81 Трудового кодекса Российской Федерации”

Трудовую книжку необходимо отдать работнику в день оформления увольнения. В случае, когда сделать это не представляется возможным, необходимо направить по месту жительства работника (известному работодателю) уведомление о необходимости явиться за трудовой книжкой либо дать согласие на отправление ее по почте (ст. 84.1 ТК РФ). В этом же письме можно отправить копию приказа об увольнении. Направлять такие документы нужно ценным письмом с описью вложения и уведомлением о вручении. Со дня направления такого уведомления работодатель освобождается от ответственности за задержку выдачи трудовой книжки.

Обратите внимание, что обстоятельством, освобождающим работодателя от материальной ответственности перед работником за задержку выдачи ему трудовой книжки, является именно факт направления работнику уведомления о необходимости явиться за трудовой книжкой, а не факт получения такого уведомления работником. Поэтому если работодатель своевременно направил работнику указанное уведомление, даже в случае возврата уведомления в адрес работодателя с отметкой об истечении срока хранения, суды признают, что требования, предусмотренные частью шестой ст. 84.1 ТК РФ, работодателем выполнены в полном объеме. Работодатель также не несет ответственности за задержку выдачи трудовой книжки в случаях несовпадения последнего дня работы с днем оформления прекращения трудовых отношений.

В день увольнения работодатель также обязан произвести с сотрудником расчет, в том числе  выплатить компенсацию за все неиспользованные отпуска (ст. 127 ТК РФ). В ст. 140ТК РФ отмечено, что выплата всех сумм, причитающихся работнику от работодателя, производится в день увольнения работника. Если работник в день увольнения не работал, то соответствующие суммы должны быть выплачены не позднее следующего дня после предъявления уволенным работником требования о расчете. В том случае, если оплата труда производится из кассы наличными деньгами, в уведомление о необходимости явиться за трудовой книжкой вносится пункт о необходимости прийти за окончательным расчетом.

Если в соответствии с частью третьей ст. 136 ТК РФ работодатель перечисляет заработную плату работника на банковскую карту, с нашей точки зрения, причитающиеся суммы должны быть перечислены на счет работника в день оформления прекращения трудовых отношений, поскольку при таком способе выплаты заработной платы объективные препятствия для проведения расчетов в этот день отсутствуют. Это мнение можно встретить и в правоприменительной практике.

В заключении отметим, что при возникновении спора о правомерности увольнения дать окончательную оценку может только суд с учетом конкретных обстоятельств дела.

Подборка:

1. “Трудовой кодекс Российской Федерации” от 30.12.2001 N 197-ФЗ (ред. от 30.04.2021) {КонсультантПлюс}.

2. Постановление Пленума Верховного Суда РФ от 17.03.2004 N 2 (ред. от 24.11.2015) “О применении судами Российской Федерации Трудового кодекса Российской Федерации” {КонсультантПлюс}.

3. Постановление Госкомстата РФ от 05.01.2004 N 1 “Об утверждении унифицированных форм первичной учетной документации по учету труда и его оплаты” {КонсультантПлюс}

Скачать подборку документов


Роль эксимерного лазера ArF с длиной волны 193 нм в химическом осаждении SiNx из паровой фазы с использованием лазерной плазмы для низкотемпературной инкапсуляции тонких пленок

Микромашины (Базель). 2020 Янв; 11 (1): 88.

Хо-Ньюн Ли

2 Группа поверхностных технологий, Корейский институт промышленных технологий (KITECH), Инчхон 21999, Корея; [email protected]

Сеунг-Ву Ли

3 Кафедра машиностроения, Университет Ханян, Сеул 04763, Корея; мок.revan @ 6047ydnar

David J. Hwang

4 Кафедра машиностроения, Государственный университет Нью-Йорка, Стони Брук, Нью-Йорк 11794, США

2 Surface Technology Group, Корейский институт промышленных технологий (KITECH), Инчхон 21999, Корея; rk. [email protected] 3 Кафедра машиностроения, Университет Ханьян, Сеул 04763, Корея; [email protected]

4 Кафедра машиностроения, Государственный университет Нью-Йорка, Стони-Брук, Нью-Йорк 11794, США

Поступило 14 декабря 2019 г .; Принята в печать 6 января 2020 г.

Лицензиат MDPI, Базель, Швейцария. Эта статья представляет собой статью в открытом доступе, распространяемую в соответствии с условиями лицензии Creative Commons Attribution (CC BY) (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Эта статья цитировалась другими статьями в PMC. .

Abstract

В данном исследовании тонкие пленки нитрида кремния осаждаются на подложки из органического полиэтилен-нафталата (PEN) с помощью лазерно-плазменного химического осаждения из паровой фазы (LAPECVD) при низкой температуре (150 ° C) с целью оценки инкапсуляции. представление.Генератор плазмы помещается над предметным столиком в виде традиционной конфигурации плазменного химического осаждения из паровой фазы (PECVD), а пучок эксимерного лазера с длиной волны 193 нм, освещаемый параллельно поверхности образца, направляется в зону реакции между образцом и источником плазмы. Основные роли лазерного освещения в процессе LAPECVD состоят в том, чтобы конкурировать или дополнять плазменное разложение газов-реагентов. Хотя лазер в основном разлагает молекулы аммиака в плазме, он также способствует фотолизу силана в плазменном состоянии, возможно, за счет образующихся водородных радикалов и возбуждения промежуточных продуктов дисилана.Также будет показано, что LAPECVD со связанной лазерной подсветкой с длиной волны 193 нм улучшает скорость осаждения тонкой пленки нитрида кремния, а эффективность герметизации оценивается посредством измерения скорости пропускания водяного пара (WVTR).

Ключевые слова: лазерно-плазменное химическое осаждение из паровой фазы, нитрид кремния, низкотемпературная инкапсуляция, фотолиз силана, эксимерный лазер ArF

1. Введение

Низкотемпературное осаждение тонких диэлектрических пленок было темой обширных исследований в различных областях. области применения, которые зависят от тепла и / или повреждают уязвимые материалы. Среди материалов для тонких диэлектрических пленок нитрид кремния (SiN x ) привлекает большое внимание в различных областях применения, включая изолирующие слои в конденсаторах [1,2,3], изоляторы затвора для тонкопленочных транзисторов [4,5,6] , и инкапсулирующие слои на электронных устройствах [7,8]. Хотя для осаждения нитрида кремния использовались различные методы осаждения, включая распыление [9,10], осаждение атомных слоев (ALD) [11,12,13] и химическое осаждение из паровой фазы (CVD) [14,15], обычные Методы по-прежнему имеют технические ограничения для низкотемпературной инкапсуляции, в результате чего распыление оставляет множество дефектов, скорость осаждения ALD слишком мала для коммерческого использования, а традиционное химическое осаждение из паровой фазы требует условий процесса при высокой температуре для разложения газов-реагентов.Чтобы преодолеть эти ограничения традиционных методов, были разработаны различные варианты CVD для низкотемпературных процессов, такие как химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD) [16,17], окислительное химическое осаждение из паровой фазы (oCVD) [18] и так далее. MOCVD использует пары металлоорганических соединений в качестве прекурсора для полупроводниковых соединений, а oCVD – это метод осаждения сопряженных проводящих полимеров с использованием конденсационной полимеризации мономерных газов при температурах даже ниже 100 ° C.

Химическое осаждение из паровой фазы с использованием плазмы (PECVD) [19,20,21,22] и химическое осаждение из паровой фазы с помощью лазера (LACVD) [23,24] также являются вариантами CVD, которые требуют более низких температур, чем традиционный CVD, за счет добавления плазмы. или лазерный источник.Химическое осаждение из паровой фазы с использованием лазерной плазмы (LAPECVD), которое было предпринято совсем недавно, представляет собой уникальную комбинацию таких разработок, которая использует как лазер, так и плазму, чтобы способствовать соответствующим химическим реакциям. В LAPECVD роль лазера в основном зависит от длины волны или энергии фотонов лазерного луча, как в LACVD. Tsai et al., [25,26] и Choi et al. [27] исследовали использование LAPECVD для осаждения тонких пленок SiN x с помощью инфракрасного лазерного луча CO 2 . Они обнаружили, что инфракрасный лазерный луч не может напрямую участвовать в химической реакции при практическом размере луча, необходимом для покрытия большой площади образца.Хотя нагрев поверхности лазерным лучом, освещенным на образец, позволил сформировать более плотную пленку с пониженной концентрацией водорода, это не согласуется с основной целью текущего исследования из-за нежелательного эффекта нагрева образца. С другой стороны, пучки эксимерного лазера с ультрафиолетовой длиной волны эффективно использовались для прямого разложения газов-реагентов в конфигурации LACVD из-за высокой энергии фотонов, превышающей энергию связи газов-реагентов [28]. При осаждении тонких пленок SiN x с силаном и аммиаком силан в основном прозрачен для лучей эксимерного лазера ArF с длиной волны 193 нм, однако аммиак сильно поглощает, и, таким образом, на ранней стадии образуются амидогенные и водородные радикалы, впоследствии разлагающие силан на силильные радикалы и, в конечном итоге, осаждение тонких пленок SiN x . Однако до сих пор не сообщалось о LAPECVD с ультрафиолетовыми длинами волн.

В этом исследовании мы сообщаем о роли луча эксимерного лазера ArF с длиной волны 193 нм в нанесении тонких пленок SiN x с помощью LAPECVD на основе газовых смесей силана и аммиака с целью инкапсуляции гибких подложек из полиэтилен-нафталата (PEN). Эксимерный лазер ArF был выбран в этом исследовании, потому что энергия фотонов лазера должна быть больше, чем энергия разложения газов-реагентов.Среди газов-реагентов, хотя энергии фотонов с длиной волны 193 нм недостаточно для разложения силана, мы также обнаружили, что лазер участвует в реакции разложения силана и увеличивает скорость осаждения. Участие эксимерного лазера ArF в разложении газов-реагентов исследуется путем измерения in-situ, интенсивности лазерной экстинкции. Интенсивность ослабления лазера также измеряется для каждого газа-реагента с переменным давлением газа-реагента и уровнями мощности плазмы, чтобы можно было уточнить роль лазера. Скорость осаждения и показатель преломления осажденных тонких пленок SiN x с помощью LAPECVD и PECVD сравниваются, чтобы подтвердить вклад связанного лазерного луча в процесс реакции. Наконец, эффективность инкапсуляции оценивается путем измерения скорости пропускания водяного пара (WVTR) с тонкими пленками SiN x , нанесенными на подложки PEN.

2. Материалы и методы

показывает схематическую иллюстрацию экспериментального устройства для LAPECVD. Технологическая камера PECVD была адаптирована для размещения лазерного излучения.Рабочая камера включает в себя плазменный генератор и столик для образца, а мощность плазмы регулируется до 1000 Вт. Силан (SiH 4 , 100%) и аммиак (NH 3 , 100%) в качестве газов-реагентов и азот. (N 2 ) в качестве буферного газа, вводили в камеру через отдельные линии и равномерно впрыскивали по субстрату через насадку для душа. Расходы контролировались отдельно регуляторами массового расхода. Буферный газ азот (N 2 ) отдельно подавался в окрестности лазерных окон для предотвращения осаждения окон.

Схематическое изображение экспериментальной установки для лазерного плазменного химического осаждения из паровой фазы (LAPECVD) тонких пленок SiN x .

Эксимерный лазер ArF с длиной волны 193 нм, энергией импульса 150 мДж и частотой повторения 100 Гц (IPEX-740, Light Machinery, Nepean, ON, Canada) использовался для LAPECVD. Перед подключением к рабочей камере лазерный луч был сформирован в прямоугольный луч шириной 80 мм (параллельно поверхности образца) и высотой 5 мм (перпендикулярно поверхности образца) с помощью набора цилиндрических расширителей луча.Коллимированный лазерный луч подавался в камеру параллельно поверхности образца с отрегулированным зазором 5 мм от поверхности образца, так что органическая подложка была свободна от прямых эффектов фотодеградации, в то время как в процесс осаждения вносился разумный вклад лазера. Расстояние от оконных стекол до предметного столика составляло 30 см. Для всех экспериментов LAPECVD в этом исследовании импульсная энергия, частота повторения и путь луча были фиксированными. Лазерный луч без резьбы из лазерного окна направлялся во вторичное окно, расположенное на противоположной стороне технологической камеры, чтобы избежать осаждения в случайных местах внутри камеры.Для измерения интенсивности лазерного поглощения после прохождения через зону реакции в месте на входящем лазерном пути, то есть до того, как лазерный луч достигнет камеры, была установлена ​​апертура, чтобы ограничить размер луча, меньшим, чем площадь детектора. Затем интенсивность лазерной экстинкции была измерена в месте, где лазерный луч выходил через вторичное окно, и нормированная интенсивность лазерной экстинкции ( I Ext ) была оценена путем деления на интенсивность лазерного излучения, измеренную в вакууме.

Восемьдюймовые кремниевые пластины использовались в качестве образцов подложек для характеристики осажденных тонких пленок нитрида кремния при фиксированной температуре подложки 150 ° C. Расстояние между насадкой для душа и предметным столиком было отрегулировано до 22 мм. Teonex Q65 использовался для гибкой полимерной подложки PEN, которая была приобретена у Teijin Dupont Films (Кота Тангеранг, Индонезия). Толщину осажденной тонкой пленки нитрида кремния измеряли с помощью сканирующей электронной микроскопии поперечного сечения (SEM, S-4800, Hitachi, Tokyo, Japan).Показатель преломления осажденных тонких пленок был измерен Filmetrics F20 (KLA Corporation, Калифорния, США), что также подтвердило толщину пленки. Гибкие подложки PEN также использовали для анализа характеристик инкапсуляции осажденной тонкой пленки, которые оценивали с помощью анализа скорости пропускания водяного пара (WVTR) (Permatran W-700, Mocon, Brooklyn Park, MN, USA).

3. Результаты

Чтобы исследовать механизм фоторазложения эксимерным лазером с длиной волны 193 нм, нормированная интенсивность лазерной экстинкции в зависимости отсостояние вакуума было измерено после заполнения технологической камеры N 2 , NH 3 , SiH 4 , соответственно, для различных уровней мощности плазмы, как показано на рис. Для измерения экстинкции лазера чистым газом N 2 через газовый ливень подавали газ N 2 с расходом 750 куб. давление было отрегулировано до 0,7 и 1,0 торр с помощью регулятора выпускного клапана. Как видно из а, гашение пучка эксимерного лазера с длиной волны 193 нм, т.е.е., совместное поглощение и рассеяние было незначительным (<0,01) при заполнении газом N 2 при общем давлении 1 торр или ниже, независимо от мощности плазмы. (Эксперимент 1 и 2 in)

Нормализованная мощность затухающего лазера при распространении в камере CVD в соответствии с одновременно генерируемой радиочастотной (RF) мощностью с различными молекулами газа ( a ) N 2 , ( b ) NH 3 и ( c ) SiH 4 .

Таблица 1

Экспериментальные параметры условий изготовления LAPECVD для измерения I Ext и толщины пленки.

901 901
Эксперимент Поток газа Условия процесса Условия работы лазера
SiH 4 (sccm) NH 3 (sccm) N 2 44 N 2 44 (sccm) 2 из окна (sccm) WP (mTorr) Температура (° C) Время (с) Размер луча (мм) Энергия импульса (мДж) Частота повторения (Гц)
Эксперимент 1 0 0 750 1000 730 150 60 80 × 5 150 Эксперимент 100
Эксперимент 3 0 150 0 1000 730 150 60 80 × 5 150 100
Эксперимент t 4 1000
Эксперимент 5 150 0 0 1000 730 150 60 80 × 5 150 150 1000
Эксперимент 7 150 150 750 1000 730 150 60 80 × 5 150 80 × 5 150 100 9017

Однако значительное погасание лазера произошло из-за наполнения газообразным аммиаком при полном давлении 0. 7 и 1 торр, как показано на b (Эксперимент 3 и 4: газ NH 3 подавали через газовый душ со скоростью потока 150 куб. Хорошо известно, что аммиак может эффективно разлагаться при длине волны 193 нм; энергия одного фотона ~ 6,4 эВ превышает энергию связи, соответствующую следующему процессу разложения (~ 5,6 эВ) [29,30]:

. конфигурации, приводящей к разложению до уровня NH, что подтверждается измерениями оптического спектра излучения, интенсивность увеличенного пучка размером 80 мм × 5 мм разлагается до уровня NH 2 [20].

Важно отметить, что ослабление лазерного излучения уменьшалось при активации плазмы; Например, нормализованное ослабление лазерного излучения падает до 0,241 с плазмой мощностью 1000 Вт по сравнению с 0,703 без плазмы при заполнении аммиаком при общем давлении 1 торр. Считается, что такое уменьшение лазерной экстинкции плазмой связано с эффективным снижением парциального давления аммиака за вычетом разложившейся части плазмой. Ожидаемые процессы разложения аммиака плазмой перечислены в уравнении (2) [29] вместе с последующими реакциями в уравнении (3) [28] с участием образующихся радикалов H. Побочные продукты индуцированного плазмой разложения и процессов реакции, показанные в уравнениях (2) и (3), кажутся прозрачными для длины волны 193 нм, то есть уровни энергии связи побочных продуктов превышают энергию лазерных фотонов 193 нм.

Когда полное давление было уменьшено до 0,7 торр, затухание лазера уменьшилось до 0,204 за счет мощности плазмы 1000 Вт против 0,241 при полном давлении 1 торр. Предполагая, что вклад рассеяния незначителен, поглощение лазерного излучения участвующей газовой средой следует уравнению (4) [31], где N и n обозначают плотность фотонов и молекул, соответственно, σ – сечение поглощения определяется соответствующей энергией фотона и видами молекул, а x – это расстояние, на которое лазерный луч распространяется через среду.Таким образом, количество поглощенных фотонов во время распространения лазерного луча через среду, заполненную участвующими молекулами (например, аммиак), будет увеличиваться по мере увеличения числовой плотности молекул или парциального давления аммиака:

c показывает нормированное лазерное ослабление в силане (эксперименты 5 и 6: газ SiH 4 подавали через газовый ливень со скоростью потока 750 кубических сантиметров в секунду с отдельным газом N 2 , подаваемым в лазерное окно со скоростью 1000 кубических сантиметров в секунду). Без плазмы не было обнаружено лазерного поглощения, что является ожидаемой тенденцией из-за энергии связи молекулы силана> ~ 8.0 эВ, что значительно превышает энергию фотонов на длине волны 193 нм. Хотя когерентное двухфотонное поглощение возможно при достаточно высокой лазерной интенсивности [32], умеренный уровень лазерной интенсивности, использованный в этом исследовании, не мог вызвать двухфотонное поглощение. Однако при активации плазмы было обнаружено заметное ослабление лазерного излучения. В плазменном состоянии молекулы силана разлагаются на радикалы SiH 3 и H, реакционная способность которых чрезвычайно высока. Эти радикалы впоследствии участвуют в серии реакций, которые производят несколько видов гидрогенизированных молекул кремния и, что особенно важно, дисилана (Si 2 H 6 ) [28,33].Реакции образования SiH 3 и вторичные реакции образования частиц Si 2 H 6 с помощью плазмы описываются уравнениями (5) [29] и (6) [28,33] соответственно.

Тогда луч эксимерного лазера ArF с длиной волны 193 нм может быть поглощен молекулами дисилана, которые производятся плазмой, используя более низкую энергию связи дисилана (~ 6,2 эВ) [29]. Погашение лазера плазмой в c можно объяснить как эффект генерируемого дисилана, и, таким образом, молекулы дисилана разлагаются как плазмой, так и лазером, также регенерируя радикалы H и SiH 3 [29,34].В конфигурации LAPECVD лазер и плазма конкурируют друг с другом, выступая в качестве источников для разложения молекул дисилана, как описано уравнением (7) [34] в сочетании с рядом последующих реакций. Интересно отметить уменьшение экстинкции лазера при мощности плазмы 1000 Вт по сравнению с мощностью 600 Вт, что указывает на то, что вклад лазера меньше, когда применяется более высокая мощность плазмы, или большая часть силана разлагается плазмой более высокой мощности. . Зависимость ослабления лазерного излучения от давления силана можно понять в контексте уравнения (4), но на основе парциального давления дисилана, производимого плазмой. Однако важно отметить, что в целом лазерное ослабление в силане намного ниже, чем в аммиаке даже в плазменном состоянии, что означает, что средняя концентрация дисилана намного ниже, хотя сечение поглощения дисилана (~ 2 × 10 −15 см 2 ) намного больше, чем у аммиака (~ 1 × 10 −17 см 2 ) при освещении с длиной волны 193 нм. Это связано с тем, что молекулы дисилана являются продуктами конечного времени жизни, генерируемыми в динамических состояниях плазмы по сравнению сИзначально исходными реагентами являются молекулы аммиака.

Si2H6 + hν или плазма → Sih5 + SiH + H

(7a)

Si2H6 + hν или плазма → 2Sih3 + 2H

(7b)

Si2H6 + hν или плазма → 2Sih4

Si2H6 + hν или плазма → Sih3Si + 4H

(7d)

Si2H6 + hν или плазма → h3SiSi + 4H

(7e)

Наконец, показаны измерения поглощения лазерного излучения со всеми газами NH 3 , SiH 4 и N 2 заполнены, что соответствует условиям газа-реагента для осаждения тонких пленок SiN x с помощью PECVD и LAPECVD в данном исследовании. Каждый из N 2 , NH 3 и SiH 4 подавался через газовый душ со скоростью потока 150 куб. См (т. Е. 150 куб. См. Для N 2 , 150 куб. для SiH 4 ) с отдельным газом N 2 , подаваемым в окно лазера при 1000 sccm. Интересно, что профиль экстинкции для газовой смеси аналогичен профилю экстинкции только для аммиака (b), что означает, что вклад аммиака все еще доминирует даже для газовой смеси.Это частично подтверждается более ранними исследованиями в b, c, хотя вклад силана нельзя полностью игнорировать; определенно намного большее ослабление лазера аммиаком при более низкой мощности плазмы и все еще в ~ 2–3 раза более высокое ослабление лазера аммиаком при более высокой мощности плазмы. Инициируемые процессом разложения, объясненным до сих пор, радикалы обычно принимают участие в последующем образовании аминосилана, поверхностной конденсации и обрыве с образованием тонкой пленки нитрида кремния [28]. Разложившийся NH 2 и гидриды кремния дают аминосилан (SiH x (NH 2 ) y ) (x + y ≤ 4) на основе химической реакции замещения Si – H-связи гидрида кремния на Si- NH 2 связывания и последовательного достижения более высокого числа y в аминосилане, как описано в уравнении (8) [28,29].Поверхностная конденсация происходит вблизи поверхности образца, то есть в зоне конденсации [29], где амино-радикалы (NH 2 ) десорбируются из аминосилана, что приводит к выделению газов в виде аммиака (NH 3 ) за счет сцепления соседнего атома водорода. оставляя Si, N и оборванные связи. Оборванные связи превращаются в связи Si – N, которые в конечном итоге образуют сетку нитрида кремния. Остальные радикалы прекращают объединение друг с другом, чтобы перейти в газообразное состояние. Этапы поверхностной конденсации и завершения описаны в уравнениях (9) [29] и 10 [28] соответственно.Дополнительное лазерное поглощение аминосиланом не может быть исключено, учитывая задействованные низкие уровни энергии связи, что может привести к уменьшению дефектов или оборванных связей в осажденной пленке нитрида кремния. Хотя из-за короткого срока службы ожидается незначительное влияние на ослабление лазерного излучения, необходимы дальнейшие исследования.

Sih3Nh3 + Nh3 → SiHNh32 + H

(8c)

Sih4Nh3 + Nh3 → Sih3Nh32 + H

(8d)

SiHNh32 + Nh3 → SiNh33 + H

Nh2000 SiNh33 + H

H

(8g)

SiHNh33 + Nh3 → SiNh34 + H

(8i)

3SiNh34 + ∆H → Si3N4 + 8Nh4

(9)

Нормализованная мощность потухшего лазера, заполненная за счет распространения N 900D в камере 43 2 , NH 3 и SiH 4 в соответствии с одновременно управляемой ВЧ мощностью.

В качестве следующего шага были охарактеризованы пленки нитрида кремния, нанесенные на кремниевые пластины с указанными выше параметрами LAPECVD. Чтобы оценить эффект лазерного освещения в LAPECVD, тонкие пленки нитрида кремния, осажденные в аналогичных условиях PECVD без лазерного освещения, также были приготовлены в качестве контрольных образцов. Каждый из N 2 , NH 3 и SiH 4 подавался через газовый душ со скоростью потока 150 куб.Толщина осажденной пленки для времени осаждения 1 мин может быть непосредственно измерена из изображения поперечного сечения, полученного с помощью SEM, которое также соответствует скорости осаждения в минуту. Примеры SEM-изображений поперечного сечения тонких пленок нитрида кремния, осажденных с помощью PECVD и LAPECVD с одинаковой мощностью плазмы 600 Вт и общим давлением газа-реагента 0,7 торр в течение 1 минуты, показаны на a. Толщина осаждения 180 и 202 нм (или скорость осаждения в нм / мин) была измерена в центре реакционной камеры для PECVD и LAPECVD, соответственно.b отображает характерную зависимость скорости осаждения и показателя преломления от местоположения для идентичных примеров случаев осаждения; PECVD и LAPECVD при мощности плазмы 600 Вт и общем давлении 0,7 торр в течение 1 мин. Относительное положение на образце указывается в единицах расстояния от центра камеры, а знак минус указывает направление к окну падения лазера. С помощью LAPECVD была достигнута улучшенная скорость осаждения по сравнению с PECVD, что свидетельствует о вкладе лазера в осаждение тонких пленок в форме фотолиза на длине волны 193 нм.В то время как скорость осаждения с помощью PECVD была постоянной независимо от относительного положения на образце, с помощью LAPECVD она уменьшается по мере распространения лазерного луча через зону реакции, что согласуется с тенденцией экспоненциального затухания локальной интенсивности лазерного излучения, описываемой уравнением (4), и лазерное ослабление, измеренное в. В настоящее время ведутся дальнейшие исследования для достижения равномерной скорости осаждения на большей площади образца путем настройки параметров лазера и PECVD. Напротив, измеренный показатель преломления скорее показывает тенденцию к небольшому увеличению вдоль направления распространения лазерного луча.Более низкий показатель преломления на входе лазера в LAPECVD указывает на образование богатого азотом нитрида кремния, таким образом подтверждая, что лазерное излучение 193 нм в основном разлагает NH 3 в возбужденном состоянии плазмой. Такая тенденция к высокому содержанию азота была также подтверждена данными рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (XPS). В этом контексте также разумно, что показатель преломления LAPECVD ниже, чем у PECVD; ~ 1,79 по LAPECVD против ~ 1,87 по PECVD. Однако изменение показателя преломления по образцу относительно невелико, т.е.е. менее 0,01 на размер образца 120 мм, что является благоприятным аспектом с практической точки зрения герметизации оптоэлектронных устройств. c показывает изменение скорости осаждения в центре камеры для более широкого диапазона уровней мощности плазмы от 400 до 1000 Вт с помощью PECVD и LAPECVD. По мере увеличения мощности плазмы скорость осаждения улучшалась как с помощью LAPECVD (от 175 до 203 нм / мин), так и с помощью PECVD (от 159 до 197 нм / мин), а скорость осаждения с помощью LAPECVD всегда была выше, чем с помощью PECVD в рамках испытаний. диапазон мощности плазмы.Однако интересной тенденцией является то, что скорость осаждения насыщается при ~ 200 нм / мин с помощью LAPECVD, что, возможно, указывает на то, что большинство реагентов, в частности аммиак, разложились плазмой мощностью 600 Вт или больше при заданном давлении газа. Соответственно, вклад лазерного разложения постепенно уменьшался, когда мощность плазмы превышала 600 Вт. Кроме того, на основе этих измерений скорости осаждения был рассчитан выход прекурсора для Si. Выход прекурсора Si составлял 0.0541 для PECVD и 0,0568 для LAPECVD. Результаты показали, что введение лазера во время осаждения тонких пленок SiN x улучшает выход прекурсора.

СЭМ-изображения поперечного сечения тонких пленок нитрида кремния, полученных с помощью ( a ) PECVD и LAPECVD, ( b ) скорости осаждения и показателя преломления тонких пленок нитрида кремния в зависимости от расстояния от окна и ( c ) Зависимость толщины PECVD и LAPECVD в зависимости от мощности РЧ мощности.

a – фотография, показывающая тонкие пленки нитрида кремния, нанесенные на подложку PEN размером 80 мм × 80 мм с использованием LAPECVD (мощность плазмы 600 Вт) для оценки характеристик герметизации путем измерения WVTR. Контрольный образец был также подготовлен PECVD (здесь не показан) с использованием идентичных параметров осаждения, за исключением лазерного освещения. Поскольку ограничение рабочей температуры пленки PEN выше, чем температура процесса, оба образца не показали никаких термических повреждений, таких как усадка пленки.Нанесенные тонкие пленки обеспечивали отличную оптическую прозрачность с аналогичными значениями толщины и показателя преломления по сравнению с пленками на кремниевых пластинах. Как показано на b, измеренное значение WVTR после LAPECVD при мощности плазмы 600 Вт составило 0,043 г / м 2 дней и 0,020 г / м 2 дней для образца, нанесенного с помощью PECVD и LAPECVD, соответственно. LAPECVD при мощности плазмы 1000 Вт также улучшил характеристики инкапсуляции, хотя, как и ожидалось, улучшение в случае 1000 Вт было меньше, чем в случае 600 Вт.Повышенная эффективность инкапсуляции с помощью LAPECVD объясняется более высокой степенью разложения реагентов под воздействием лазерного излучения вблизи поверхности образца, непрерывного разрыва связей на частицы с меньшей молекулярной массой и, таким образом, образования пленок с уменьшенными дефектами или оборванными связями. На основании результатов, описанных выше, истинное достоинство, ожидаемое от конфигурации LAPECVD, заключается в том, что отличные характеристики инкапсуляции достигаются при пониженной мощности плазмы и, таким образом, подавлении нежелательного повреждения нижележащих органических компонентов ионной бомбардировкой и / или ультрафиолетовым излучением случайной ориентации. с эквивалентной или улучшенной скоростью наплавки vs.PECVD. Подробные исследования в этом отношении продолжаются.

( a ) Тонкие пленки нитрида кремния, изготовленные на подложке из PEN размером 80 мм на 80 мм, и ( b ) их скорость пропускания водяного пара в соответствии с методами осаждения PECVD и LAPECVD.

4. Резюме и дальнейшее исследование

Мы осаждали тонкие пленки SiN x с помощью LAPECVD, основанного на использовании эксимерного лазера с длиной волны 193 нм для инкапсуляции подложек PEN при низких температурах подложки.Механизмы разложения газа-реагента были исследованы путем измерения ослабления лазерного излучения в условиях индивидуального и смешанного газа. В плазменных состояниях преобладает фотолиз аммиака, разлагающегося на радикалы NH 2 и H, тогда как фотолиз силана относительно невелик, что обеспечивается дисиланом, который соответствует промежуточным продуктам, генерируемым возбуждением плазмы. В LAPECVD лазер конкурирует или дополняет разложение газов-реагентов плазмой, и лазер обычно играет более важную роль при низкой мощности плазмы.При заданной мощности плазмы и давлении реагента связь с лазером улучшила скорость осаждения тонких пленок SiNx, что привело к более низким показателям преломления, что является показателем богатого азотом состава из-за преобладающего разложения аммиака пучком эксимерного лазера. LAPECVD с помощью лазера с длиной волны 193 нм также значительно улучшил характеристики инкапсуляции, оцененные с помощью теста WVTR, возможно, из-за более высокой степени разложения реагентов и, таким образом, образования пленок с уменьшенными дефектами или оборванными связями при подключении лазерного луча.Дальнейшие исследования проводятся с целью улучшения пространственной однородности скорости осаждения и получения тонких пленок с более высоким показателем преломления с минимальным повреждением лежащих в основе органических компонентов.

Вклад авторов

Концептуализация, D.J.H. и К.-Т.К .; Финансирование, К.-Т.К .; Расследование, К.А., Х.-Н.Л. и D.J.H .; Методология, H.-N.L., K.H.C. и S.-W.L .; Администрация проекта, К.-Т.К .; Письмо – Оригинальный черновик, K.A .; Написание – просмотр и редактирование, D.J.H. и К.-Т.K. Все авторы прочитали и согласились с опубликованной версией рукописи.

Финансирование

Это исследование финансировалось при финансовой поддержке Программы конвергенции НИОКР Национального исследовательского совета науки и технологий Республики Корея (CAP-15-04-KITECH).

Конфликт интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Ссылки

1. Маллик А., Ван X.W., Ма Т.П., Цуй Г.Дж., Тамагава Т., Халперн Б.Л., Шмитт Дж.J. Интерфейсные ловушки в конденсаторах из нитрида кремния, осажденных струей из паровой фазы. J. Appl. Phys. 1996. 79: 8507–8511. DOI: 10,1063 / 1,362529. [CrossRef] [Google Scholar] 2. Йота Дж. Влияние метода осаждения нитрида кремния PECVD в качестве диэлектрика MIM-конденсатора для технологии GaAs HBT. ECS Trans. 2011; 35: 229–240. [Google Scholar] 3. Аллерс К.-Х. Прогнозирование диэлектрической надежности на основе ВАХ: механизм проводимости Пула – Френкеля, приводящий к модели √E для нитрид кремниевого MIM-конденсатора. Микроэлектрон.Надежный. 2004. 44: 411–423. DOI: 10.1016 / j.microrel.2003.12.007. [CrossRef] [Google Scholar] 4. Чжу В., Ноймайер Д., Перебейнос В., Авурис П. Диэлектрики затвора из нитрида кремния и инженерия запрещенной зоны в слоях графена. Nano Lett. 2010. 10: 3572–3576. DOI: 10.1021 / nl101832y. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 5. Лю Б.Д., Су Ю.К., Чен С.К. Ионно-чувствительный полевой транзистор с затвором из нитрида кремния для измерения pH. Int. J. Electron. 1989. 67: 59–63. DOI: 10.1080 / 002072181055. [CrossRef] [Google Scholar] 6.Ремашан К., Чан Дж.Х., Хван Д.К., Пак С.Дж. Тонкопленочные транзисторы на основе ZnO с затвором из нитрида кремния с высоким показателем преломления. Прил. Phys. Lett. 2007; 91: 182101. DOI: 10,1063 / 1,2804566. [CrossRef] [Google Scholar] 7. Дхармадхикари В.С. Характеристика покрытия из нитрида кремния, нанесенного плазмой, используемого для герметизации интегральных схем. Тонкие твердые пленки. 1987. 153: 459–468. DOI: 10.1016 / 0040-6090 (87) -7. [CrossRef] [Google Scholar] 8. Вонг Ф.Л., Фунг М.К., Тао С.Л., Лай С.Л., Цанг В.М., Конг К.Х., Чой В.М., Ли К.С., Ли С.Т. Инкапсулированные в тонкую пленку органические светодиоды с длительным сроком службы. J. Appl. Phys. 2008; 104: 14509. DOI: 10,1063 / 1,2940727. [CrossRef] [Google Scholar] 9. Ким Дж. Х., Чунг К. В. Микроструктура и свойства тонких пленок нитрида кремния, осажденных методом реактивного магнетронного распыления смещения. J. Appl. Phys. 1998; 83: 5831–5839. DOI: 10,1063 / 1,367440. [CrossRef] [Google Scholar] 10. Эйзенштейн Г., Штульц Л.В. Высококачественные просветляющие покрытия на лазерных гранях напыленным нитридом кремния.Прил. Опт. 1984. 23: 161–164. DOI: 10.1364 / АО.23.000161. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 11. Накадзима А., Йошимото Т., Кидера Т., Йокояма С. Низкотемпературное формирование затворных диэлектриков из нитрида кремния путем осаждения атомных слоев. Прил. Phys. Lett. 2001. 79: 665–667. DOI: 10,1063 / 1,1388026. [CrossRef] [Google Scholar] 12. Гото Х., Шибахара К., Йокояма С. Контролируемое осаждение нитрида кремния с помощью атомного слоя с самоограничивающимся механизмом. Прил. Phys. Lett. 1996; 68: 3257–3259. DOI: 10,1063 / 1,116566.[CrossRef] [Google Scholar] 13. Йокояма С., Икеда Н., Кадзикава К., Накашима Ю. Селективное осаждение нитрида кремния атомным слоем на поверхности Si с концевыми водородными группами. Прил. Серфинг. Sci. 1998. 130–132: 352–356. DOI: 10.1016 / S0169-4332 (98) 00083-X. [CrossRef] [Google Scholar] 14. Чой Д.Дж., Фишбах Д. Варенье. Ceram. Soc. 1989. 72: 1118–1123. DOI: 10.1111 / j.1151-2916.1989.tb09693.x. [CrossRef] [Google Scholar] 15.Темпл-Бойер П., Росси К., Сент-Этьен Э., Шайд Э. Остаточное напряжение при химическом осаждении из паровой фазы при низком давлении. Пленки SiN x , осажденные из силана и аммиака. J. Vac. Sci. Technol. А. 1998; 16: 2003–2007. DOI: 10,1116 / 1,581302. [CrossRef] [Google Scholar] 16. Wu M.-R., Li W.-Z., Huang C.-Y., Chiang Y.-H., Liu P.-L., Horng R.-H. Газовый сенсор NO на основе эпитаксиального слоя ZnGa 2 O 4 , выращенного методом химического осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений. Sci. Отчет 2019; 9: 7459. DOI: 10.1038 / s41598-019-43752-z.[Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 17. Park J.-H., Mcclintock R., Razeghi M. Ga 2 O 3 Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник на сапфировой подложке от MOCVD. Полуконд. Sci. Techonol. 2019; 34: 8. DOI: 10.1088 / 1361-6641 / ab2c17. [CrossRef] [Google Scholar] 18. Гарачешмех М.Х., Глисон К.К. Изготовление устройств основано на синтезе проводящих полимеров и родственных сопряженных органических материалов методом окислительного химического осаждения из паровой фазы (oCVD). Adv. Матер.Интерфейсы. 2019; 6: 1801564. DOI: 10.1002 / admi.201801564. [CrossRef] [Google Scholar] 19. Парсонс Г. Н., Сук Дж. Х., Бейти Дж. Пленки стехиометрического нитрида кремния с низким содержанием водорода, нанесенные методом химического осаждения из газовой фазы с плазменным усилением. J. Appl. Phys. 1991; 70: 1553–1560. DOI: 10,1063 / 1,349544. [CrossRef] [Google Scholar] 20. Шмидт Дж., Аберли А.Г. Рекомбинация носителей на границах раздела кремний – нитрид кремния, полученных с помощью плазменного химического осаждения из газовой фазы. J. Appl. Phys. 1999; 85: 3626–3633. DOI: 10.1063 / 1,369725. [CrossRef] [Google Scholar] 21. Кобаяси И., Огава Т., Хотта С. Химическое осаждение нитрида кремния из газовой фазы с плазменным усилением. Jpn. J. Appl. Phys. 1992; 31: 336–342. DOI: 10.1143 / JJAP.31.336. [CrossRef] [Google Scholar] 22. Lauinger T., Moschner J., Aberle A.G., Hezel R. Оптимизация и определение характеристик нитрида кремния химического осаждения из паровой фазы с дистанционным плазменным осаждением для пассивации поверхностей кристаллического кремния p-типа. J. Vac. Sci. Technol. А. 1998; 16: 530–543. DOI: 10.1116 / 1.581095. [CrossRef] [Google Scholar] 23. Кук С., Нам Х.К., Ван З., Хван Д.Дж. Влияние размера лазерного луча на химическое осаждение тонких пленок нитрида кремния при помощи лазера. J. Nanosci. Nanotechnol. 2018; 18: 7085–7089. DOI: 10.1166 / jnn.2018.15727. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 24. Кук С., Пак Дж., Чжан Т., Ли Х.-Н., Чо К.Х., Кан К.Т., Хван Д.Дж. Низкотемпературное осаждение тонких неорганических пленок методом химического осаждения из газовой фазы с помощью ультрафиолетового лазера. Nanosci. Nanotechnol. Lett.2016; 8: 586–591. DOI: 10.1166 / nnl.2016.2229. [CrossRef] [Google Scholar] 25. Tsai H.-S., Jaw G.-J., Chang S.-H., Cheng C.-C., Lee C.-T., Liu H.-P. Химическое осаждение из газовой фазы тонкой пленки нитрида кремния с помощью лазерной плазмы. Серфинг. Покрытия Технол. 2000. 132: 158–162. DOI: 10.1016 / S0257-8972 (00) 00972-5. [CrossRef] [Google Scholar] 26. Цай Х.-С., Чиу Х.-К., Чанг С.-Х., Ченг С.-К., Ли С.-Т., Лю Х.-П. CO 2 – плазменное химическое осаждение тонкой пленки из диоксида кремния с помощью лазера.Jpn. J. Appl. Phys. 2001; 40: 3093–3095. DOI: 10.1143 / JJAP.40.3093. [CrossRef] [Google Scholar] 27. Чой Дж. А., Ли Х.-Н., Чо К.Х., Ли С.-В., Джу Б.-К., Кан К.Т. Воздействие CO 2 -лазера на пленки SiN x , полученные методом низкотемпературного плазменного химического осаждения при низких температурах. Nanosci. Nanotechnol. Lett. 2016; 8: 549–554. DOI: 10.1166 / NNL.2016.2228. [CrossRef] [Google Scholar] 28. Бич Д. Б., Ясински Дж. М. Эксимерная лазерная фотохимия смесей силан-аммиак при длине волны 193 нм.J. Phys. Chem. 1990; 94: 3019–3026. DOI: 10.1021 / j100370a053. [CrossRef] [Google Scholar] 29. Наллапати Г. Ph.D. Тезис. Государственный университет Луизианы и Сельскохозяйственный и механический колледж; Батон-Руж, Лос-Анджелес, США: май 1999 г. Химическое осаждение из паровой фазы пленок нитрида и оксинитрида кремния с использованием дисилана в качестве источника кремния. [Google Scholar] 30. Коплиц Б., Сюй З., Виттиг С. Распределение энергии продукта фотодиссоциации 193 нм NH 3 . Chem. Phys. Lett. 1987; 137: 505–509.DOI: 10.1016 / 0009-2614 (87) 80619-X. [CrossRef] [Google Scholar] 31. Лу Х.-К., Чен Х.-К., Чен Х.-Ф., Ченг Б.-М., Огилви Дж.Ф. Сечение поглощения молекулярного кислорода при переходе E 3 Σ u v = 0 – X 3 Σ g v = 0 при 38 К. Астрон. Astrophys. 2010; 520: A19. DOI: 10.1051 / 0004-6361 / 201013998. [CrossRef] [Google Scholar] 32. Fuchs C., Boch E., Fogarassy E., Aka B., Siffert P. Сечение двухфотонного поглощения силана под воздействием импульсного излучения эксимерного лазера ArF (193 нм).MRS Proc. 1987; 101: 361. DOI: 10.1557 / PROC-101-361. [CrossRef] [Google Scholar] 33. Бесерра Р., Фрей Х.М., Мейсон Б.П., Уолш Р., Гордон М.С. Экспериментальные и теоретические данные в поддержку промежуточного комплекса в реакции внедрения силилена в силан. Варенье. Chem. Soc. 1992; 114: 2151–2752. DOI: 10.1021 / ja00033a078. [CrossRef] [Google Scholar] 34. Тада Н., Тонокура К., Мацумото К., Коши М., Миёси А., Мацуи Х. Фотолиз дисилана при 193 нм. J. Phys. Chem. А. 1999; 103: 322–329. DOI: 10.1021 / jp982348a. [CrossRef] [Google Scholar]

SEC.gov | Превышен порог скорости запросов

Чтобы обеспечить равный доступ для всех пользователей, SEC оставляет за собой право ограничивать запросы, исходящие от необъявленных автоматизированных инструментов. Ваш запрос был идентифицирован как часть сети автоматизированных инструментов за пределами допустимой политики и будет обрабатываться до тех пор, пока не будут приняты меры по объявлению вашего трафика.

Пожалуйста, объявите свой трафик, обновив свой пользовательский агент, чтобы включить в него информацию о компании.

Чтобы узнать о передовых методах эффективной загрузки информации с SEC.gov, в том числе о последних документах EDGAR, посетите sec.gov/developer. Вы также можете подписаться на рассылку обновлений по электронной почте о программе открытых данных SEC, включая передовые методы, которые делают загрузку данных более эффективной, и улучшения SEC.gov, которые могут повлиять на процессы загрузки по сценарию. Для получения дополнительной информации обращайтесь по адресу [email protected]

Для получения дополнительной информации см. Политику конфиденциальности и безопасности веб-сайта SEC.Благодарим вас за интерес к Комиссии по ценным бумагам и биржам США.

Код ссылки: 0.67fd733e.1634895182.26611379

Дополнительная информация

Политика безопасности в Интернете

Используя этот сайт, вы соглашаетесь на мониторинг и аудит безопасности. В целях безопасности и обеспечения того, чтобы общедоступная услуга оставалась доступной для пользователей, эта правительственная компьютерная система использует программы для мониторинга сетевого трафика для выявления несанкционированных попыток загрузки или изменения информации или иного причинения ущерба, включая попытки отказать пользователям в обслуживании.

Несанкционированные попытки загрузить информацию и / или изменить информацию в любой части этого сайта строго запрещены и подлежат судебному преследованию в соответствии с Законом о компьютерном мошенничестве и злоупотреблениях 1986 года и Законом о защите национальной информационной инфраструктуры 1996 года (см. Раздел 18 USC §§ 1001 и 1030).

Чтобы обеспечить хорошую работу нашего веб-сайта для всех пользователей, SEC отслеживает частоту запросов на контент SEC.gov, чтобы гарантировать, что автоматический поиск не влияет на возможность доступа других пользователей к SEC.содержание правительства. Мы оставляем за собой право блокировать IP-адреса, которые отправляют чрезмерное количество запросов. Текущие правила ограничивают пользователей до 10 запросов в секунду, независимо от количества машин, используемых для отправки запросов.

Если пользователь или приложение отправляет более 10 запросов в секунду, дальнейшие запросы с IP-адреса (-ов) могут быть ограничены на короткий период. Как только количество запросов упадет ниже порогового значения на 10 минут, пользователь может возобновить доступ к контенту на SEC.губ. Эта практика SEC предназначена для ограничения чрезмерного автоматического поиска на SEC.gov и не предназначена и не ожидается, чтобы повлиять на людей, просматривающих веб-сайт SEC.gov.

Обратите внимание, что эта политика может измениться, поскольку SEC управляет SEC.gov, чтобы гарантировать, что веб-сайт работает эффективно и остается доступным для всех пользователей.

Примечание: Мы не предлагаем техническую поддержку для разработки или отладки процессов загрузки по сценарию.

% PDF-1.2 % 1 0 объект > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > / XObject> >> эндобдж 11 0 объект > / Длина 12 0 R >> транслировать i58`U $ z] W B #) ‘O ؔ t # CD ~ T? GttwHd |, XZ # ČA [ $ XGzrpm “m5 | zu7 @ =! 0DzDv ر d # 3 {~ w {zҥMӥbb,) j n # | беги‘̆3N 8F — GPa & xOMm} Tuh # qьa.9 “.`v5F: TuG [#G) #p # G93h Z. Sa [PAA 䜛 r-AQ +8.c/c#tGˣ[email protected]] |; I>] ˂8dDDX; Hs? I \ 2; “QU0DDDDDDDʂK9’3 \ Rr # 8Bb # j” “” “” “Vrm9 | l # dtmr86cTi_ ~ Mlǂg> Ss9 5 + eQq ~ u ~ “” “” “” “MFÙs9 yAyCD” M q = ~ 0 “> qE:> @ + # 2 | ehFB (ϢF”! RN rrC) և ti) B8pnGGQeDDDDDGg | Ds; 6GGdp \ ‘B “” “” $ iwmrs DDDDD9 & 0] YU rw) r-naȣW & C8GDa # yvneB, TIȣJ-v (E # o # | _._ DDDDDDDDEkKh52U`ЈBh] _ ___ zZm / WqE & h # t`1C3Gɹj3Fy> fM6 | 83a * LT “ijI;% ޟ˞ k pSƙ7’J [2L ݃ u o “G ߯ D F ޷ x ׻ KŊ ֪ g8m \ qlba0 aXa_v4 L B ק M_Ǧ’vҿpT ֆ + P “8D $ 7 | $ j4b ַ ָ iN \ rBG” MS_pȮEI “2 & lB, 3W” Јlq “? Œ & KW30 @ F9N ~ MD! D \ dvaDDY71B # & \ “>! # B #! *: Ԃ9Weȓ” “U 蛪

՘ G” “” “?.: chA

Microbiomechanics / Publications

Материалы конференции Журнальные статьи Главы книги Патенты

Материалы конференции

  1. Я. Сюэ, MJ Seiler, WC Tang, JY Wang, B. McLelland, G. Nistor, H. Keirstead и AW Browne, «Органоиды сетчатки на кристалле: микромиллифлюидный биореактор длительного действия, напечатанный на 3D-принтере. термин «поддержание органоидов сетчатки», Poster & Abstract, Int. Soc. Для Stem Cell Res. Анну. Встретиться.(ISSCR 2021), ВИРТУАЛ, 21 – 26 июня 2021 г.
  2. Ю. Сюэ, Б. Маклелланд, Дж. Гарсия, М. Рухизаде, В. Джианг, Г. Нистор, Х. Кейрстед, В. К. Танг, М. Дж. Зайлер и А. В. Браун, «Анализ долгосрочного развития органоидов сетчатки по функциональным показателям. визуализация и полимеразная цепная реакция в реальном времени », Poster & Abstract, Assoc. Res. Vis. Офталь. Анну. Встретиться. (ARVO 2021), ВИРТУАЛ, 1-7 мая 2021 г.
  3. Ю. Сюэ, Б. Маклелланд, Г. Нистор, Х. Кейрстед, В. К. Танг, М. Дж. Зайлер и А.В. Браун, «Долгосрочный количественный анализ собственных флуорофоров в органоидах сетчатки с помощью микроскопии с 2-фотонным возбуждением», Poster & Abstract, Assoc. Res. Vis. Офталь. Анну. Встретиться. (ARVO 2020), Балтимор, Мэриленд, США, 3-7 мая 2020 г.
  4. Ю. Сюэ, Т. Калакунтла, Б. Маклелланд, Г. Нистор, Х. Кейрстед, А. В. Браун, В. К. Танг и М. Дж. Зайлер, «Характеристика органоидов сетчатки с помощью 2-фотонной микроскопии перед трансплантацией в модели скорости дегенерации сетчатки». ”Плакат и реферат, Междунар.Soc. Для Stem Cell Res. Анну. Встретиться. (ISSCR 2019), Лос-Анджелес, Калифорния, США, 26 – 29 июня 2019 г.
  5. Дж. Лю, В. К. Тан, Ю. Чен и М. Ли, «Новый метод вывода краудсорсинга», Proc. 15-я Международная выставка 2019 г. Конф. Беспроводной связи и мобильных вычислений. (IWCMC 2019), Танжер, Марокко, 24-28 июня 2019 г.
  6. AW Browne, Y. Xue, T. Kalakuntla, WC Tang, L. Malacrida, TF Schilling, JE Hall, E. Gratton и I. Воронцова, «Анализ in vivo показывает переключение метаболизма и окислительного состояния глаз рыбок данио во время развития », Афиша и реферат, доц.Res. Vis. Офталь. Анну. Встретиться. (ARVO 2019), Ванкувер, Британская Колумбия, Канада, 28 апреля – 2 мая 2019 г.
  7. T. Kalakuntla, Y. Xue, A. Browne, B. McLelland, G. Nistor, H. Keirstead, WC Tang и MJ Seiler, «Предтрансплантационный анализ собственных флуорофоров с помощью 2-фотонной микроскопии для проверки пригодности сетчатки глаза. органоиды », Proc. Ассоциация исследований в области зрения и офтальмологии Annu. Встреча (ARVO 2019), Ванкувер, Британская Колумбия, Канада, 28 апреля – 2 мая 2019 г.
  8. Ю.Хуэй, Ю. Лю, В. К. Тан, Р. Чен, М. Мадоу и С. Ся, «Автоматическая ионно-жидкостная дисперсионная жидкостно-жидкостная микроэкстракция на центробежной микрофлюидной платформе», принято для устной презентации на 14-м ежегодном мероприятии IEEE Int. Конф. Нано / микро инженерные и молекулярные системы. (IEEE NEMS 2019), Бангкок, Таиланд, 11–14 апреля 2019 г. [Финалист премии за лучшую студенческую работу, финалист премии CM Ho за лучшую работу в области Micro / Nano Fluidics] [PDF]
  9. C. J. Lee, W. J. Agnew и W. C. Tang, “Механически модулированное выравнивание кардиомиоцитов”, Proc.22-я Международная конференция 2018 г. Конф. Miniaturized Syst. Chem. Life Sci. (μTAS 2018), Гаосюн, Тайвань, 11–15 ноября 2018 г. [PDF]
  10. W. J. Agnew, Z. Siu, B. Chu, J. Wang, L. Chang и W. C. Tang, «Технико-экономическое обоснование устройства сбора сердечной энергии на основе феррожидкости для устройств с микрокардиостимулятором», Proc. Ежегодное собрание Общества биомедицинской инженерии (BMES), Атланта, Джорджия, 17–20 октября 2018 г.
  11. C. J. Lee, W. J. Agnew и W. C. Tang, «Микромеханически модулированное выравнивание кардиомиоцитов in vitro», Proc.2018 г. Конф. Nano Sci. & Technol. (ICNST 2018), Саппоро, Япония, 24–26 августа 2018 г. [Премия за лучшую устную презентацию]
  12. К. Цао и В. К. Тан, «Применение беспроводной системы передачи энергии к полностью имплантируемому сердечному насосу», Proc. IEEE Wireless Power Transfer Conf., Монреаль, Канада, 3–7 июня 2018 г. [PDF]
  13. К. Чжао, К. Дж. Ли, В. Дж. Агнью, С. Ли и В. К. Танг, «Механистические реакции кардиомиоцитов HL-1 на микрорельефную культуральную среду», Proc.10-е IEEE Int. Конф. Нано / молекулярная медицина и инженерия, Макао, Китай, 30 октября – 2 ноября 2016 г. [PDF]
  14. Ю.-Х. Хуанг, В. К. Тан и Ю.-Х. Сюй, «Изучение морфологии клеток на микроволокнах SU-8», Тр. Годовой симпозиум. Биомедицинская инженерия и технологии, Тайбэй, Тайвань, 13, 14 ноября 2015 г. [PDF]
  15. C.-H. Чан, Х. Дж. Чу, В. К. Танг и Ю.-Х. Хсу, «Изготовление пучков выровненных P (VDF-TrFE) пьезоэлектрических нановолокон с электропрядением через зазубренные зазоры», Proc.13-е межд. Конф. Automation Technol., Тайбэй, Тайвань, 13–15 ноября 2015 г. [PDF]
  16. C. F. Ruiz, E. M. Kha и W. C. Tang, “Пьезорезистивный датчик для количественной оценки вызванного клетками отклонения кантилевера”, Proc. 10-е IEEE Int. Конф. Нано / микротехнические и молекулярные системы, Сиань, Китай, 7–11 апреля 2015 г. [PDF]
  17. С. Карунаниди, М. В. Лам, С. Р. Нагурла и В. К. Танг, «Микрожидкостные платформы для сортировки клеток по размеру», Proc. 7-е IEEE Int.Конф. Нано / молекулярная медицина и инженерия, Пхукет, Таиланд, 10–13 ноября 2013 г., стр. 27–31. [PDF]
  18. S. Gupta, A.C.Baker и W.C. Tang, «Микрожидкостные платформы для захвата циркулирующих опухолевых клеток», Proc. 7-е IEEE Int. Конф. Нано / молекулярная медицина и инженерия, Пхукет, Таиланд, 10–13 ноября 2013 г., стр. 1–4. [PDF]
  19. D. Pemba и W. C. Tang, «Многосайтовый нейронный зонд с одновременной нейронной записью и возможностью доставки лекарств», Proc.6-й Анну. Int. Конференция по нейронной инженерии IEEE EMBS, Сан-Диего, Калифорния, 6–8 ноября 2013 г., стр. 1493–1496. [PDF]
  20. Д. Пемба, В. М. Вонг и В. К. Тан, «Гибридная трехмерная внутринейронная электродная матрица SU-8 / Silicon», Proc. 6-й Анну. Int. Конференция по нейронной инженерии IEEE EMBS, Сан-Диего, Калифорния, 6-8 ноября 2013 г., стр. 295-298. [PDF]
  21. H. C. Wong и W. C. Tang, “Корреляция моделирования и экспериментальных данных тяги и скорости клеток в зависимости от жесткости подложки”, Proc.11th IEEE Int. Конф. Биоинформатика Биоинженерия, Тайчжун, Тайвань, 24–26 октября 2011 г., стр. 240–244. [PDF]
  22. H. C. Wong и W. C. Tang, «Влияние скорости деградации, адгезии и сопротивления ECM на миграцию клеток в 3D», в N. A. Abu Osman et al. (Ред.): БИОМЕД 2011, IFMBE Proc. 35, 5-й международный аэропорт Куала-Лумпур. Конф. Биомедицинская инженерия 2011, Куала-Лумпур, Малайзия, 21–23 июня 2011 г., стр. 428–431. [PDF]
  23. Ю.-Х. Hsu, J. L. Coleman и W. C. Tang, «Микрожидкостная платформа для обнаружения инфицированных малярией эритроцитов птиц», Ext.Abs., 12-й общесистемный симпозиум UC по биоинженерии, Санта-Барбара, Калифорния, 13–15 июня 2011 г. [PDF]
  24. Ю.-Х. Hsu, J. L. Coleman и W. C. Tang, «Морфологические изменения поверхности как биомаркеры для обнаружения инфицированных малярией эритроцитов птиц», Ext. Abs., 6th Int. Конф. Микротехнологии в медицине и биологии, Люцерн, Швейцария, 4–6 мая 2011 г., стр. 116–117. [PDF]
  25. Ю.-Х. Сюй, П. Лу и В. К. Тан, «Микроплатформы для исследований птичьей малярии», Proc.6-й ежегодный IEEE Int. Конф. Нано / микротехнические и молекулярные системы, Гаосюн, Тайвань, 20–23 февраля 2011 г., стр. 355–358. [PDF]
  26. L. Esfandiari и W. C. Tang, “Растягиваемая платформа PDMS для исследования механического сжатия на нейрогенез”, Proc. 4-й IEEE Int. Конф. Нано / Мол. Med. Engin. (IEEE-NanoMed), Гонконг и Макао, Китай, 5-9 декабря 2010 г., CD-ROM.
  27. H. C. Wong и W. C. Tang, «Влияние коэффициента трения и количества рецепторов на взаимодействия клетки с субстратом во время миграции», Proc.ASME 2010 Summer Bioengin. Конф. (SBC 2010), Неаполь, Флорида, 16-19 июня 2010 г., CD-ROM. [PDF]
  28. Ю.-Х. Hsu и W. C. Tang, «Интегрированный микробиореактор с матрицей пьезоэлектрических преобразователей для клеточной диагностики», Proc. 13-е межд. Конф. Miniaturized Syst. Chem. Life Sci. (µTAS), Чеджу, Корея, 1–5 ноября 2009 г., стр. 1817–1819. [PDF]
  29. H. C. Wong, K. N. Cho, and W. C. Tang, «Изгиб стентированной атеросклеротической артерии», Proc. COMSOL Conf. 2009 г., 8-10 октября 2009 г., CD-ROM.[PDF]
  30. J. A. Ayers, W. C. Tang и Z. Chen, «Микрозеркало с парафиновым приводом для эндоскопической ОКТ», Proc. 4-я конференция «Границы биомедицинских устройств», Ирвин, Калифорния, 8–9 июня 2009 г., документ № 83051, компакт-диск. [PDF]
  31. Ю.-Х. Hsu и W. C. Tang, «Платформа микроизготовленного пьезоэлектрического преобразователя для механической характеристики клеточных событий», Proc. 19-й Междунар. конф. Adaptive Structures and Technol., Аскона, Швейцария, 6–9 октября 2008 г., компакт-диск. [** Премия за лучшую студенческую работу **] [PDF]
  32. т.Накано, Ю.-Х. Hsu, W. C. Tang, T. Suda, D. Lin, T. Koujin, T. Haraguchi, Y. Hiraoka, “Микроплатформа для межклеточной коммуникации”, Proc. 3-й IEEE Int. Конф. Nan / Micro Engin. Molecular Syst., Санья, Китай, 6–9 января 2008 г., стр. 476–479. [PDF]
  33. Ю.-Х. Хсу, Дж. Лин и В. К. Тан, «Оптимизация и определение характеристик тонкой пленки пьезоэлектрического оксида цинка, напыленной радиочастотным методом, для применения в преобразователях», Proc. IEEE Ultrasonics Symp. 2007, 28-31 октября 2007 г., Нью-Йорк, Нью-Йорк, стр.2393 – 2398. [PDF]
  34. J. Wu и W. C. Tang, «Микроизготовление массивов микроэлектродов высокой плотности для периферийных внутринейронных приложений» Proc. 2-й IEEE Int. Конф. Nano / Micro Engin. Мол. Syst., Бангкок, Таиланд, 16–19 января 2007 г., стр. 1085–1088. [PDF]
  35. K. C. Liu, H. Bode и W. C. Tang, “Роль концентрации кислорода в среде на рост и дифференциацию стволовых клеток гидры под давлением”, Abstracts, SBE 2nd Int. Конф. Bioeng. Nanotechnol., Санта-Барбара, Калифорния, 5–7 сентября 2006 г., стр. 38.
  36. J. Wu, W.-F. Feng, W.C. Tang и F.-G. Цзэн, «Микросистема с решетками электродов различной длины для протезов слухового нерва», Proc. 28-я конференция IEEE Engin. Med. Биол. Soc. Анну. Int. Conf., Нью-Йорк, штат Нью-Йорк, 30 августа – 3 сентября 2006 г., стр. 3166 – 3169. [PDF]
  37. W. Pang, L. Yan, H. Zhang, H. Yu, E. S. Kim, and W. C. Tang, «Сверхчувствительный датчик массы на основе пьезоэлектрического резонатора с поперечной растяжимостью (LEM)» Tech.Dig., 19-е IEEE Int. Конф. Micro Electro Mech. Syst., Стамбул, Турция, 22–26 января 2006 г., стр. 78–81. [PDF]
  38. J. Wu, W.-F. Feng и W. C. Tang, «Многоканальная маломощная схема для имплантируемых микросистем слуховой нейронной записи», Proc. 12-е межд. Конф. БиоМед. Engin., Singapore, 7-10 декабря 2005 г., Paper # 4B1-05, CD-ROM. [PDF]
  39. J. Wu, L. Yan, W. C. Tang, F.-G. Цзэн, «Микрообработанные электродные матрицы с облегающим профилем для протезов слухового нерва», Proc.2005 IEEE Engin. в Мед. и Биол. 27-го Анну. Конф., Шанхай, Китай, 1–4 сентября 2005 г., Paper # 0648, CD-ROM. [PDF]
  40. J. Wu, R. Hainley и W. C. Tang «Микрообработанная электродная матрица высокой плотности для имплантатов слухового нерва», Proc. 2005 Летний Биоэнгин. Conf., Вейл, Колорадо, 22–26 июня 2005 г., CD-ROM. [PDF]
  41. J. Wu, L. Yan, H. Xu, W. C. Tang и F.-G. Цзэн, «Трехмерный массив микроэлектродов с контролируемой кривизной для кохлеарных имплантатов», Tech. Копать землю., 13-я Междунар. Конф. Твердотельные датчики, исполнительные механизмы и микросистемы (преобразователи ’05), Сеул, Корея, 5 – 9 июня 2005 г., стр. 1636 – 1639. [PDF]
  42. V. C. Wu, T. Law, C.-M. Hsu, G. Lin, W. C. Tang и E. S. Monuki, «Платформа MEMS для изучения нейрогенеза при контролируемом механическом напряжении», Proc. 3-й ежегодный Int. Конференция по специальной теме IEEE EMBS. Микротехнологии в медицине. and Biol., Kahuku, Oahu, HI, 12-15 мая 2005 г., стр. 408-411. [PDF]
  43. Ю.-Х. Вэнь, Г.Янг, В. Дж. Бейли, Дж. Лин, В. К. Танг и Дж. Х. Кейак, «Механически прочные микротензодатчики для использования на костях», Proc. 3-й ежегодный Int. Конференция по специальной теме IEEE EMBS. Микротехнологии в медицине. and Biol., Kahuku, Oahu, HI, 12–15 мая 2005 г., стр. 302–304. [PDF]
  44. Л. Ян, Дж. Ву и У. К. Тан, “Дисковый резонатор с пьезоэлектрическим преобразованием 1,14 ГГц”, Tech. Dig., 18th IEEE Int. Конф. Micro Electro Mech. Syst., Майами-Бич, Флорида, 30 января – 3 февраля 2005 г., стр.203 – 206. [PDF]
  45. G. Y. Yang, V. J. Bailey, Y.-H. Вен, Дж. Лин, В. К. Тан и Дж. Х. Киак, «Изготовление и определение характеристик микромасштабных датчиков для измерения деформации поверхности кости», Proc., 3rd IEEE Int. Конф. Sensors, Вена, Австрия, 24 – 27 октября 2004 г., стр. 1355 – 1358. [PDF]
  46. J. A. Ayers, W. C. Tang и Z. Chen, «Вращающееся на 360 ° микрозеркало для передачи и восприятия сигналов оптической когерентной томографии», Proc., 3rd IEEE Int. Конф.Sensors, Вена, Австрия, 24–27 октября 2004 г., стр. 497–500. [PDF]
  47. J. A. Ayers, W. C. Tang и Z. Chen, «На пути к вращающемуся на 360 градусов микрозеркалу для биомедицинской визуализации», Ext. Abs., 2004 BME Ann. Fall Meet., Филадельфия, Пенсильвания, 13–16 октября 2004 г., компакт-диск.
  48. Г. Линь, В. К. Ву, Р. Е. Хейнли, Л. А. Фланаган, Е. С. Монуки, В. К. Танг, «Разработка микросистемы MEMS для изучения влияния механического напряжения на нейрогенез коры головного мозга», Proc., 26-я Междунар. Конф. IEEE Engineering Med. Биол. Soc., Сан-Франциско, Калифорния, 1 – 5 сентября 2004 г., стр. 2607 – 2610. [PDF]
  49. Л. Ян, Дж. Ву и В. К. Тан, «Высокочастотные фильтры на основе микромеханических резонаторов с пьезоэлектрическим преобразованием», Proc. 2004 IEEE Int. Совместная 50-я юбилейная конференция «Ультразвук, сегнетоэлектричество и контроль частоты», 23–27 августа 2004 г., Монреаль, Канада, стр. 926–929. [PDF]
  50. Л. Ян, Дж. Ву и В. К. Тан, “Пьезоэлектрические микромеханические дисковые резонаторы в направлении диапазона УВЧ”, Proc.2004 IEEE Int. Совместная 50-я юбилейная конференция «Ультразвук, сегнетоэлектричество и контроль частоты», 23–27 августа 2004 г., Монреаль, Канада, стр. 922–925. [PDF]
  51. S. F. Yen, H. Lais, Z. Yu, S. Li, W. C. Tang и P. J. Burke, “GHz электрические свойства углеродных нанотрубок на микромостах из диоксида кремния”, Tech. Копать землю. (CD-ROM), 1-й Междунар. Конф. on Nanotech (Nanotech3004), Сингапур, 13-17 июля 2004 г., статья № 35-CNN-M146, 6 стр. [PDF]
  52. С. Ли, З.Ю., С.-Ф. Йен, П. Дж. Берк и В. К. Танг, «Нанорезонатор с углеродными нанотрубками, частота ГГц», Tech. Dig., IEEE MTT-S Int. Microwave Symp., Форт-Уэрт, Техас, 6 – 11 июня 2004 г., стр. 987 – 990. [PDF]
  53. L. Yan, W. Pang, J. Wu, W. C. Tang и E.-S. Ким, “Высокочастотный микромеханический дисковый резонатор с пьезоуправлением” // ЖТФ. Dig., Твердотельный датчик, исполнительный механизм и микросист. Workshop, Хилтон-Хед-Айленд, Южная Каролина, 6 – 10 июня 2004 г., стр. 372 – 375. [PDF]
  54. Г.Ю.Янг, В.J. Bailey, G. Lin, W. C. Tang и J. H. Keyak, «Дизайн микроизготовленной матрицы тензодатчиков для мониторинга деформации костей in vitro и in vivo», Proc., IEEE 4 th Symp. Биоинформатика Bioeng. (BIBE 2004), Тайчжун, Тайвань, 19 – 21 мая 2004 г., стр. 30 – 37. [PDF]
  55. Г. Линь и В. К. Тан, «На пути к микросистемам МЭМС для механических исследований мозга новорожденных и взрослых млекопитающих», Ex. Abs., NanoTech 2003, Монтрё, Швейцария, 25–27 ноября 2003 г., стр. A45 – A46. [PDF]
  56. С.Ли, З. Ю., Г. Гадде, П. Дж. Берк и В. К. Тан, “Рост углеродных нанотрубок для устройств ГГц”, Proc. 3-я конференция IEEE. Нанотех. (IEEE-Nano 2003), Сан-Франциско, Калифорния, 12–14 августа 2003 г. [PDF]
  57. Дж. Мюллер, С. Варго, Д. Бэйм, Д. Фитцджеральд и У. Танг, «Доказательная демонстрация микроизолирующего клапана», Proc. 35-я конференция по совместному движению AIAA / ASME / SAE / ASEE. & Выставка, Лос-Анджелес, Калифорния, 20-24 июня 1999 г., статья № AIAA 99-2726 (10 страниц).
  58. И.Chakraborty, W. C. Tang, D. P. Bame, T. K. Tang, “Микроклапан MEMS для космических приложений”, Tech. Dig., 10-й межд. Конф. Твердотельные датчики и исполнительные механизмы (Transducers ’99), Сендай, Япония, 7–10 июня 1999 г., стр. 1820–1823.
  59. Дж. Мюллер, И. Чакраборти, С. Варго, Д. Бэйм, К. Маррез, Дж. Форгрейв и У. К. Танг, «МЭМС-микродвигательная активность в JPL», Proc. 2-й Int. Конф. на Integrated Micro / Nanotech. for Space Applications, MNT 99, Pasadena, CA, 11-15 апреля 1999 г. (28 страниц).
  60. Дж. Мюллер, И. Чакраборти, Д. Бэйм, В. Танг, Р. Лоутон и А. Уоллес, «Доказательная демонстрация микродвигателя с испаряющейся жидкостью», Proc. 34-я конференция по совместному движению AIAA / ASME / SAE / ASEE. & Exhibit, Кливленд, Огайо, 13-15 июля 1998 г., статья № AIAA 98-3924 (6 страниц). [PDF]
  61. Дж. Мюллер, Д. Пайл, И. Чакраборти, Р. Руис, В. Танг и Р. Лоутон, «Проблемы конструкции решетки микроволоконного ускорителя ионов: характеристики электрического пробоя изоляционного материала из диоксида кремния», Proc.34-я конференция по совместному движению AIAA / ASME / SAE / ASEE. & Exhibit, Кливленд, Огайо, 13-15 июля 1998 г., статья № AIAA 98-3923 (18 страниц). [PDF]
  62. Дж. Мюллер, С. Варго, И. Чакраборти, Дж. Форгрейв, Д. Бэйм и В. Танг, «Микроизоляционный клапан: введение концепции и предварительные результаты», Proc. 34-я конференция по совместному движению AIAA / ASME / SAE / ASEE. & Exhibit, Кливленд, Огайо, 13-15 июля 1998 г., статья № AIAA 98-3811 (11 страниц). [PDF]
  63. W. C. Tang, “Микромеханические устройства в JPL для исследования космоса”, Tech.Dig., IEEE Aerospace Conf., Сноумасс, Колорадо, 21–28 марта 1998 г., статья № 4.905, CD-ROM (10 страниц).
  64. W. C. Tang, T. K. Tang, I. Chakraborty и D. Bame «Микроклапаны MEMS для двигателей космических аппаратов и датчики органических материалов», Tech. Dig., Государственная конференция по применению микросхем, Арлингтон, Вирджиния, 16-19 марта 1998 г., стр. 259-261.
  65. W. C. Tang, “Приложения MEMS в исследовании космоса”, Tech. Dig., SPIE Micromachining and Microfabrication Conf., Остин, Техас, 29–30 сентября 1997 г., статья № 3224-24, стр. 202–211. [PDF]
  66. Дж. Мюллер, У. К. Танг, В. Дж. Ли и А. П. Уоллес, «Оценка выполнимости микросистемы решетки ускорителя для микро-ионных двигателей», Proc. 25-й Int. Конференция по электрическому движению, Кливленд, Огайо, 24-28 августа 1997 г., статья № IEPC 97-071 (8 страниц).
  67. Дж. Мюллер, В. К. Танг, А. П. Уоллес, В. Дж. Ли, Д. П. Бэйм, И. Чакраборти и Р. А. Лоутон, «Проектирование, анализ и изготовление микродвигателя с испаряющейся жидкостью», Proc.33-я Объединенная конференция по двигательным установкам AIAA / ASME / SAE / ASEE, Сиэтл, Вашингтон, 6-9 июля 1997 г., статья № AIAA 97-3054 (10 страниц). [PDF]
  68. W. C. Tang, “Обзор микроэлектромеханических систем и процессов проектирования”, Tech. Dig., 34-я конференция по автоматизации проектирования, 9–13 июня 1997 г., Анахайм, Калифорния, стр. 670–673. [PDF]
  69. M. D. Porter, C.-J. Чжун, Дж. Ни, С. Дж. Колдирон, В. К. Танг, «Микронасос с электрохимическим приводом для потока и подачи жидкости: к новой конструкции микронасоса для миниатюрных жидкостных хроматографических анализов и анализов с впрыском потока», 27th Int.Конф. Экологическая система, 1997, Публикация № 972420.
  70. Д. Г. Макинтайр, С. Дж. Каннингем, Дж. С. Карпер, П. Д. Джарамилло и В. К. Танг, «Методология изучения реакции кремниевых микроструктур на механический удар на уровне полупроводниковой пластины», Tech. Dig., 1996 ASME Int. Мех. Англ. Конгресс и выставка, 17–22 ноября 1996 г., Атланта, Джорджия, DSC-Vol. 59, стр 435 – 439.
  71. С. Дж. Каннингем, Д. Г. Макинтайр, Дж. С. Карпер, П. Д. Джарамилло и В. К. Танг, «Микроструктуры, разработанные для обеспечения устойчивости к ударам», Proc.SPIE 2880, Микролитография и метрология в микромеханической обработке II, 99, 13 сентября 1996 г., Остин, Техас, DOI: 10.1117 / 12.250971. [PDF]
  72. W. C. Tang, “Обзор поверхностной микрообработки”, Tech. Dig., 28th Annual SCCAVS Symp. Выставка вакуумного оборудования, 27–28 сентября 1995 г., стр. 8–10.
  73. C. H. Mastrangelo, X. Zhang и W. C. Tang, «Поверхностный микромашинный емкостной датчик перепада давления с литографически определенной кремниевой диафрагмой», Tech. Копать землю., 8-й Междунар. Конф. Твердотельные датчики и исполнительные механизмы (Transducers ’95, Eurosensor IX), Стокгольм, Швеция, 25-29 июня 1995 г., стр. 612-615.
  74. W. C. Tang, “Процесс разработки автомобильных микросенсоров”, Tech. Dig., SPIE 1995 Североамериканская конф. Интеллектуальные конструкции и материалы, Сан-Диего, Калифорния, 22 февраля – 3 марта 1995 г., стр. 251 – 257.
  75. X. Zhang и W. C. Tang, “Демпфирование вязким воздухом в микрорезонаторах с боковым приводом”, Tech. Dig., IEEE Micro Electro Mech.Syst. Workshop, Канагава, Япония, 25–28 января 1994 г., стр. 199–204. [PDF]
  76. L. Tong, M. Mehregany и W. C. Tang, «Аморфные пленки карбида кремния путем плазменного химического осаждения из паровой фазы», ​​Tech. Dig., IEEE Micro Electro Mech. Syst. Workshop, Форт-Лодердейл, Флорида, 7–10 февраля 1993 г., стр. 242–247.
  77. W. C. Tang, «Микро-инженерные приводы – обзор», Tech. Dig., Electro Int., New York, New York, 16–18 апреля 1991 г., стр. 104–109.
  78. Вт.C. Tang, M. G. Lim и R. T. Howe, “Электростатически сбалансированный гребенчатый привод для контролируемой левитации”, Tech. Dig., IEEE Solid-State Sensor and Actuator Workshop, Hilton Head Island, SC, 4–7 июня 1990 г., стр. 23–27.
  79. Р. А. Бреннен, А. П. Пизано и В. К. Танг, “Многомодовые микромеханические резонаторы”, Tech. Dig., IEEE Micro Electro Mech. Syst. Workshop, Долина Напа, Калифорния, 11–14 февраля 1990 г., стр. 9–14.
  80. W. Yun, W. C. Tang, R.Т. Хоу, “Технологии изготовления интегрированных микродинамических систем”, Tech. Dig., 3-я конференция Toyota, Айтикен, Япония, 22-25 октября 1989 г., стр. 17-1 – 17-15.
  81. W. C. Tang, T.-C. Нгуен, М. В. Джуди и Р. Т. Хоу, “Электростатический гребенчатый привод для боковых поликремниевых резонаторов”, Tech. Dig., 5-й межд. Конф. Твердотельные датчики и исполнительные механизмы (Transducers ’89), Монтрё, Швейцария, 25 – 30 июня 1989 г., стр. 138 – 140.
  82. W. C. Tang, T.-C. Нгуен, Р.Т. Хоу, “Резонансные микроструктуры поликремния с боковым движением”, Tech. Dig., IEEE Micro Electro Mech. Syst. Workshop, Солт-Лейк-Сити, Юта, 20–22 февраля 1989 г., стр. 53–59.

Журнальные статьи

  1. S. McAleer, A. Fast, Y. Xue, MJ Seiler, WC Tang, M. Balu, P. Baldi и AW Browne, «Многофотонная микроскопия с использованием глубокого обучения для уменьшения воздействия света и ускорения визуализации тканей с высоким и низкой светочувствительности », Пер. Vis. Sci.Technol., Vol. 10, No. 30, октябрь 2021 г., DOI: [10.1167 / tvst.10.12.30].
  2. S. Zhang, X. Guo, S. Yuan, Z. Jin и W. C. Tang, «Понимание структурных изменений стеклокерамики во время наноиндентирования, полученное в результате молекулярно-динамического моделирования на основе реактивного силового поля», Appl. Серфинг. Sci., Vol. 571, DOI: [10.1016 / j.apsusc.2021.15137], 1 января 2022 г.
  3. Ю. С. Вакилна, В. К. Танг, Б. К. Уиллер и Г. Дж. Брюэр, «Поток аксональной информации между субрегионами гиппокампа.1. Пространственная динамика сетей с прямой связью и обратной связью, лежащих в основе обработки возникающей информации, Frontiers Neural Circ., DOI: [10.3389 / fncir.2021.660837], август 2021 г.
  4. Ю. Сюэ, MJ Seiler, WC Tang, JY Wang, J. Delgado, BT McLelland, G. Nistor, HS Keirstead и AW Browne, «Органоиды сетчатки на чипе: микромиллифлюидный биореактор для длительного использования. поддержание органоидов », Lab Chip, DOI: [10.1039 / D1LC00011J], июль 2021 г.
  5. Y. Chen, W.К. Тан, Дж. Чу, Р. Чжан и С. Ли, «Анализ ошибок и оптимизация системы обнаружения изображений неба с полной поляризацией», J. Photogrammetric Engineering & Remote Sensing, Vol. 87, No. 4, DOI: [10.14358 / PERS.87.4.273], апрель 2021 г.
  6. Дж. Лю, М. Ли, В. К. Тан и С. М. Н. Ислам, «Метод вывода краудсорсинга киберфизических систем, основанный на закалке: прогресс в алгоритмах искусственного интеллекта», J. Wireless Comm. Mobile Comp., Vol. 2021 г., DOI: 10.1155 / 2021/6618980, февраль 2021 г.[PDF]
  7. Л. Пу, Н. К. Куреши, Дж. Ли, Б. Чжан, Ф. Конг, В. К. Тан и З. Лян, «Терапевтические преимущества музыкального синхронного постукивания пальцами при болезни Паркинсона – протокол исследования fNIRS для рандомизированного контролируемого исследования. в Даляне, Китай, “Trials, Vol. 21, No. 864, Oct 2020. [Читать онлайн]
  8. S. Zhang, X. Guo, Z. Jin, R. Kang, D. Guo и W. C. Tang, “Морфология поверхности и соответствующая эволюция твердости во время наноцарапания”, J Mater Res Technol.Vol. 9. С. 3179-3189. Ноябрь 2020. [Читать онлайн]
  9. Y. Hui, Y. Liu, WC Tang, D. Song, M. Madou, S. Xia, and T. Wu, «Определение ртути (II) на центробежном микрофлюидном устройстве с использованием ионно-жидкостной дисперсной жидкостно-жидкостной микроэкстракции. ”Микромашины, Vol. 10, No. 523, DOI: 10.3390 / mi10080523, август 2019 г. [PDF]
  10. Y. Hui, C. Xiong, C. Bian, S. Gui, J. Tong, Y. Li, C. Gao, Y. Huang, WC Tang и S. Xia, «Диспергирующая жидкость для ионной жидкости с регулируемой температурой – жидкая микроэкстракция в сочетании с флуоресцентным детектированием ультра-следов Hg2 + в воде », Анал.Методы, Vol. 11. С. 2669 – 2676, 2019. [PDF]
  11. К. Э. Кинг, К. М. Ху, В. К. Танг и М. Хайн, «Введение предпринимательства в основной курс биомедицинской инженерии в Калифорнийском университете в Ирвине», Technol. Innov., Vol. 20. С. 179 – 195, 2019. [PDF]
  12. Ю.-Х. Hsu, C.-H. Чан и В. К. Тан, «Выравнивание нескольких пучков электропряденых пьезоэлектрических волокон через зазубрины под наклоном: метод создания текстильных датчиков деформации», Nature: Scientific Reports, doi: 10.1038 / s41598-017-15698-7; 13 ноября 2017. [PDF]
  13. C. Wu, T. G. Lin, Z. Zhan, Y. Li, S. C. H. Tung, W. C. Tang и W. J. Li, «Изготовление полностью прозрачных наножидкостных устройств на основе полимера и инкапсулированных с использованием наноинденционной литографии», Nature: Microsyst. Nanoengin., DOI: 10.1038 / micronano.2016.84; 27 марта 2017. [PDF]
  14. Б. Редди младший, Э. Коднер, Р. Э. Хейнли и У. К. Танг, «Дизайн и изготовление автоэмиссионных наконечников с самовыравнивающимися затворами», Micro Nano Lett., Vol. 11, No. 9, pp. 524 – 527, 2016. [PDF]
  15. Р. Сахьюни, Дж. Бхатт, Х. Р. Джалилиан, В. К. Танг, Дж. К. Миддлбрукс и Х. В. Лин, «Избирательная стимуляция лицевых мышц с помощью проникающей электродной решетки в модели кошек», Ларингоскоп, DOI: 10.1002 / lary.26078, июнь 16, 2016. [PDF]
  16. L. Esfandiari, M. Paff и W. C. Tang, «Первые исследования механического сжатия нейрогенеза с неонатальными нервными стволовыми клетками», Nanomed .: Nanotech., Biol., и Med., Vol. 8, No. 4, pp. 415 – 418, 2012. [PDF]
  17. H. C. Wong и W. C. Tang, «Вычислительное исследование локальной и глобальной деградации ECM и влияния на скорость клеток и тракцию клеточного матрикса», J. Nano Communication Networks, Vol. 2. С. 119–124, 2011. [PDF]
  18. Ю.-Х. Хсу и В. К. Тан, «Микробиореактор, разработанный для интеграции с пьезоэлектрическими преобразователями для клеточной диагностики», J. Microfluidics Nanofluidics, Vol. 2011. Т. 11. № 4. С. 459 – 468.[PDF]
  19. Ю.-Х. Хсу, П. Лу, Дж. Л. Коулман и В. К. Тан, «Микрожидкостная платформа для выделения птичьих эритроцитов, инфицированных малярийными паразитами Plasmodium gallinaceum, на основе морфологических изменений поверхности», Biomed. Микроустройства, Vol. 13, № 6, стр. 995 – 1004, 2011. [PDF]
  20. H. C. Wong и W. C. Tang, «Анализ методом конечных элементов влияния механических свойств фокальной адгезии и жесткости субстрата на миграцию клеток», J. Biomechanics, Vol.44, стр. 1046 – 1050, 2011. [PDF]
  21. Ю.-Х. Хсу и В. К. Тан, «Платформа микроизготовленного пьезоэлектрического преобразователя для механической характеристики клеточных событий», Smart Mater. Struct., Vol. 18, № 9, on-line 095014, 2009. [PDF]
  22. г. Янг, Я.-Х. Вен, К. Фельди, В. К. Тан и И. Солтес, «Датчик для измерения жесткости в гиппокампе взрослой крысы», IEEE Sensors J., Vol. 8, No. 11, pp. 1894 – 1899, 2008. [PDF]
  23. Ю.-ЧАС. Хсу, Дж. Лин и В. К. Тан, «Тонкая пленка пьезоэлектрического оксида цинка, напыленная радиочастотным методом, для применения в преобразователях», J. Mater. Наука: Матер. Электрон., Т. 19, No. 7, pp. 653 – 661, 2008 [PDF]
  24. G. Y. Yang, G. Johnson, W. C. Tang и J. H. Keyak, «Датчики деформации для кости на основе парилена», IEEE Sensors J., Vol. 7, No. 12, pp. 1693–1697, декабрь 2007 г. [PDF]
  25. W. Pang, L. Yan, H. Zhang, H. Yu, E. S. Kim и W. C. Tang, «Платформа измерения массы фемтограмм на основе пьезоэлектрического резонатора с поперечным растяжением» Appl.Phys. Lett., Vol. 88, No. 24, 243503, 2006. [PDF]
  26. Л. Ян, В. Панг, Э.-С. Ким и В. К. Тан, «Одночиповые многочастотные УКВ микропьезоэлектрические резонаторы с низким импедансом», IEEE Electron. Dev. Lett., Vol. 27, No. 4, pp. 246 – 248, 2006. [PDF]
  27. Л. Ян, В. Панг, Э.-С. Ким, В. К. Тан, «Пьезоэлектрические преобразователи с низким импедансом микроэлектромеханические резонаторы», Appl. Phys. Lett., Vol. 87, 154103, 2005. [PDF]
  28. А.М. Шкель, Ч. Лю и В. К. Тан, «От редакции», IEEE Sensors J., Vol. 4, No. 4, pp. 387 – 389, 2004. [PDF]
  29. С. Ли, З. Ю., С.-Ф. Йен, В. К. Тан и П. Дж. Берк, «Работа транзистора с углеродными нанотрубками на частоте 2,6 ГГц», Nano Lett., Vol. 4, No. 4, pp. 753 – 756, 2004. [PDF]
  30. W. C. Tang и A. P. Lee, “Защитные приложения MEMS”, MRS Bulletin, Vol. 26, No. 4, pp. 318 – 319, April 2001.
  31. W. C. Tang и A. P. Lee, «Военное применение микросистем», The Industrial Physicist, Американский институт физики, стр.26 – 29 февраля 2001 г.
  32. И. Чакраборти, W.C. Тан, Д. П. Бэйм и Т. К. Тан, «Микроклапан MEMS для космических приложений», Датчики и приводы A: Physical, Vol. 83, нет. 1–3, стр. 188–193, 2000. [PDF]
  33. A. A. Tseng, W. C. Tang, Y.-C. Ли и Дж. Аллен, «Семинар NSF 2000 по производству микроэлектромеханических систем», в J. Mater. Процесс. Производство. Sci., S. I. G üçeri, Ed., Vol. 8, вып. 4. С. 292–361, 2000.
  34. С.Э. Варго, Э. П. Манц, Г. Р. Шифлетт и В. К. Танг, «Компрессор Кнудсена как вакуумный насос на микро- и макроуровне без движущихся частей или жидкостей», J. Vac. Sci. Technol .., Vol. A17, No. 4, pp. 2308 – 2313, 1999. [PDF]
  35. C. I. Lee, A. H. Johnston, W. C. Tang, C. E. Barnes и J. Lyke, «Влияние общей дозы на микроэлектромеханические системы (MEMS): акселерометры», IEEE Trans. Nucl. Sci., Vol. НС-43, № 6, стр. 3127 – 3132, 1996. [PDF]
  36. C.H. Мастранджело, X.Чжан и В. К. Тан, «Емкостной датчик дифференциального давления с микромеханической обработкой поверхности с литографически определенной кремниевой диафрагмой», IEEE / ASME J. Microelectromechanical Syst., Vol. 5. С. 98 – 105, 1996. [PDF]
  37. X. Zhang и W. C. Tang, “Демпфирование вязкого воздуха в микрорезонаторах с боковым приводом”, Sensors and Mater., Vol. 7. С. 415 – 430, 1995.
  38. W. C. Tang, M. G. Lim, и R. T. Howe, “Электростатические гребенчатые приводы левитации и методы управления”, IEEE / ASME J.Microelectromechanical Syst, Vol. 1. С. 170 – 178, 1992.
  39. W. C. Tang, T.-C. Нгуен, М. В. Джуди и Р. Т. Хоу, «Электростатический гребенчатый привод для боковых поликремниевых резонаторов», Датчики и приводы A: Physical, Vols. A21 – A23, стр. 328 – 331, 1990. [PDF]
  40. W. C. Tang, T.-C. Нгуен, Р. Т. Хоу, “Резонансные микроструктуры из поликремния с боковым приводом”, Датчики и исполнительные механизмы, Vol. 20, стр. 25 – 32, 1989. [PDF]

Главы книги

  1. Л.С. Чан, W.C. Тан, «Инженерная медицина: принципы и применение инженерии в медицине», CRC Press Taylor & Francis Group, 2019. [Доступ в Интернете]
  2. Дж. Мюллер, С. Варго, Д. Бэйм, И. Чакраборти и В. К. Танг, «Глава 17: Концепция микроизолирующего клапана: первые результаты технико-экономического обоснования», Микродвигатели для малых космических аппаратов, (М. М. Микчи и А. Д. Кетсдевер , Eds.), Рестон: Американский институт аэронавтики и астронавтики, Inc., 2000, стр 399 – 422.
  3. Дж.Мюллер, Д. Пайл, И. Чакраборти, Р. Руис, В. К. Танг, К. Маррез и Р. Лоутон, «Глава 12: Характеристики электрического пробоя пленок диоксида кремния для использования в микросхемах ускорителей с ионными двигателями микродвигателей», Micropropulsion for Small Космический корабль, (М. М. Микчи и А. Д. Кетсдевер, ред.), Рестон: Американский институт аэронавтики и астронавтики, Inc., 2000, стр 303-334.
  4. Дж. Мюллер, И. Чакраборти, Д. Бэйм и У. К. Танг, «Глава 8: Концепция микродвигателя с испаряющейся жидкостью: предварительные результаты первоначальных технико-экономических обоснований», «Микродвижение для малых космических аппаратов», (М.М. Микчи и А. Д. Кетсдевер, ред.), Рестон: Американский институт аэронавтики и астронавтики, Inc., 2000, стр. 215 – 230.
  5. C. H. Mastrangelo и W. C. Tang, «Глава 2: Сенсорная технология», Semiconductor Sensors, (S. M. Sze, Ed.), New York: John Wiley & Sons, Inc., 1994, стр 17 – 95.
  6. W. C. Tang, Электростатический гребенчатый привод для резонансных датчиков и исполнительных механизмов, Ph.D. Диссертация, факультет электротехники и компьютерных наук, Калифорнийский университет в Беркли, 1990.

% PDF-1.4 % 151 0 объект > эндобдж xref 151 193 0000000016 00000 н. 0000005198 00000 п. 0000005343 00000 п. 0000005472 00000 н. 0000007750 00000 н. 0000007787 00000 н. 0000007901 00000 н. 0000

  • 6 00000 н. 0001814929 00000 п. 0002823822 00000 п. 0003696656 00000 п. 0004575982 00000 п. 0004576150 00000 п. 0005679705 00000 п. 0005679944 00000 н. 0005680224 00000 п. 0005680563 00000 п. 0005680955 00000 п. 0005681359 00000 п. 0005681533 00000 п. 0005681976 00000 п. 0005682177 00000 п. 0005682579 00000 п. 0005683100 00000 п. 0005683476 00000 п. 0005683645 00000 п. 0005683990 00000 п. 0005684352 00000 п. 0005684736 00000 п. 0005685131 00000 п. 0005685498 00000 п. 0005685898 00000 п. 0005686253 00000 п. 0005686632 00000 п. 0005687022 00000 п. 0005687190 00000 п. 0005687594 00000 п. 0005687775 00000 п. 0005687988 00000 п. 0005688156 00000 п. 0005688473 00000 п. 0005689056 00000 п. 0005689293 00000 п. 0005689664 00000 п. 0005689964 00000 п. 00056 00000 п. 00056
  • 00000 п. 00056 00000 п. 0005691407 00000 п. 0005691828 00000 п. 0005692221 00000 п. 0005692605 00000 п. 0005693002 00000 п. 0005693386 00000 п. 0005693803 00000 п. 0005694155 00000 п. 0005694545 00000 п. 0005694744 00000 п. 0005695138 00000 п. 0005695503 00000 п. 0005695732 00000 п. 0005696078 00000 п. 0005696443 00000 п. 0005696813 00000 п. 0005697182 00000 п. 0005697554 00000 п. 0005697989 00000 п. 0005698349 00000 п. 0005698756 00000 п. 0005699138 00000 п. 0005699546 00000 н. 0005699876 00000 п. 0005700286 00000 п. 0005700616 00000 п. 0005700985 00000 п. 0005701154 00000 п. 0005701562 00000 п. 0005701791 00000 п. 0005702156 00000 п. 0005702521 00000 п. 0005702919 00000 п. 0005703148 00000 п. 0005703554 00000 п. 0005703918 00000 п. 0005704248 00000 п. 0005704594 00000 п. 0005705106 00000 п. 0005705558 00000 п. 0005705946 00000 п. 0005706377 00000 п. 0005706707 00000 п. 0005706875 00000 п. 0005707528 00000 п. 0005707912 00000 п. 0005708520 00000 п. 0005708806 00000 п. 0005709425 00000 п. 0005709825 00000 п. 0005710209 00000 п. 0005710565 00000 п. 0005710890 00000 п. 0005711294 00000 п. 0005711629 00000 п. 0005712063 00000 п. 0005712743 00000 п. 0005712905 00000 п. 0005713298 00000 п. 0005713703 00000 п. 0005714097 00000 п. 0005714495 00000 п. 0005714890 00000 н. 0005715309 00000 п. 0005715705 00000 п. 0005716102 00000 п. 0005716480 00000 п. 0005716873 00000 п. 0005717243 00000 п. 0005717645 00000 п. 0005717931 00000 п. 0005718327 00000 н. 0005718689 00000 п. 0005719054 00000 п. 0005719348 00000 п. 0005719678 00000 н. 0005720076 00000 п. 0005720435 00000 п. 0005720811 00000 п. 0005721198 00000 п. 0005721476 00000 п. 0005721873 00000 п. 0005722255 00000 п. 0005722613 00000 п. 0005723018 00000 п. 0005723383 00000 п. 0005723767 00000 п. 0005724186 00000 п. 0005724419 00000 п. 0005724829 00000 п. 0005724997 00000 н. 0005725391 00000 п. 0005725750 00000 п. 0005726144 00000 п. 0005726334 00000 п. 0005726525 00000 п. 0005726562 00000 п. 0005726730 00000 п. 0005727123 00000 п. 0005727683 00000 п. 0005728265 00000 п. 0005732250 00000 пн 0005732841 00000 п. 0005733344 00000 п. 0005733590 00000 п. 0005733825 00000 п. 0005734358 00000 п. 0005734710 00000 п. 0005735163 00000 п. 0005735583 00000 п. 0005735933 00000 п. 0005736387 00000 п. 0005736913 00000 н. 0005737194 00000 п. 0005737577 00000 п. 0005737689 00000 п. 0005737801 00000 п. 0006522765 00000 п. 0006538945 00000 п. 0006548282 00000 п. 0006561559 00000 п. 0007620478 00000 п. 0007624504 00000 п. 0007627828 00000 н. 0007628184 00000 п. 0007630846 00000 п. 0007632219 00000 п. 0008022053 00000 п. 0008024522 00000 п. 0008025104 00000 п. 0008028808 00000 п. 0008032524 00000 п. 0008033949 00000 п. 0008034089 00000 п. 0008037220 00000 п. 0008037491 00000 п. 0008040003 00000 п. 0008040290 00000 п. 0008040501 00000 п. 0008040610 00000 п. 0008041168 00000 п. 0008041466 00000 п. 0008041818 00000 п. 0008042045 00000 п. 0000004156 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 343 0 объект > поток xԔ} hU? s] { mw “& αj / MtVVkAMFSLX.$! FC / jk͑ “Rl @; ~ .t-, srXIi1; CEϯOL ( / cQ + 㬲 EZXd8q6, cr7xȳ1Bda | a, y`;% 78f [{DiZmW! If) DFmȵKm-qs3 ‘, ~ ǛQNqQD4MN!? b | -zǔga & FXsfƴ% r

    000664 – C57BL / 6J

    Общее примечание

    Гены Mx определяют устойчивость к летальным эффектам различных миксовирусов, включая нейротропный вирус птичьего гриппа А, вводимый интрацеребрально, пневмотропные штаммы, вводимые интраназально, и гепатотропный штамм, вводимый интраназально. : 5645, J: 13136). Устойчивость не зависит от наличия тимуса и не устраняется иммуносупрессией или ингибиторами функции макрофагов (J: 5735, J: 5478, J: 5645).Устойчивость специфична для ортомиксовирусов (J: 6265). Это зависит от присутствия интерферона-альфа и -бета, но не от -гамма (J: 7365).

    Аллель устойчивости в локусе Mx1 при индукции альфа / бета-интерфероном продуцирует 75 кДа белок MX-1, который придает устойчивость к вирусу гриппа в ядрах клеток, несущих аллель. Аллели восприимчивости не продуцируют белок (J: 8273). Белок расположен в ядре (J: 7703) и оказывает противовирусное действие, предотвращая синтез вирусной мРНК в ядре (J: 7992).Ядерная локализация необходима для активности против вируса гриппа (J: 1417), но мутации, индуцированные в Mx1, показали, что ядерное положение было недостаточным для эффекта; мутации в нескольких доменах могут вызвать его потерю (J: 11840). Белок MX-1 представляет собой GTPase, содержащую GTP-связывающий домен (J: 1417), и это связывающее ядро ​​также необходимо (J: 21243).

    Устойчивость выражается макрофагами и другими клетками in vitro (J: 6649, J: 5940), но не может быть передана чувствительным животным путем переноса макрофагов от устойчивых мышей (J: 6149).

    Устойчивость к заражению двумя клещевыми вирусами, вирусом Тогото (J: 8273) и вирусом Дори (J: 27760), также обеспечивается Mx1 r .

    Аллель Mx1 r встречается только в штаммах A2G, SL / NiA и T9, последний является штаммом, полученным из устойчивых к гриппу диких животных, и CAST / Ei, полученным из Mus musculus castaneus. Большинство инбредных штаммов, включая C57BL / 6J, C3H / HeJ и BALB / cJ, несут чувствительный к гриппу аллель Mx1 s1 , который продуцирует мРНК без экзонов 9, 10 и 11 аллеля Mx1 r .Эта большая делеция, по-видимому, делает белок неспособным обеспечивать устойчивость к гриппу. Штаммы CBA / J, CE / J, I / LnJ и PERA / Ei, также чувствительные к вирусу, имеют другую форму аллеля Mx1 s2 , в которой имеется нонсенс-мутация (J: 9452).

    Интерферон индуцируется вирусной инфекцией и, в свою очередь, индуцирует белок Mx (J: 7703). Хотя некоторые гены, индуцированные интерфероном, отвечают непосредственно на вирусную инвазию, а также косвенно через индукцию индуцированным вирусом интерфероном, этот первичный ответ очень слаб для белка MX-1 в ответ на вирусы гриппа или болезни Ньюкасла (J: 1892).

    Молекулярное примечание Многие инбредные линии мышей имеют делецию экзона 9-11, что приводит к нулевому аллелю и чувствительности к миксовирусам, включая: A / J, ABP / Le, AKR / J, AU / SsJ, BALB / cJ , BDP / J, BUB / BnJ, C3H / HeJ, C57BL / 6J, C57BL / 10J, C57BL / KsJ, C57L / J, C58 / J, DA / HuSn, DBA / 2J, FSB / GnEi, FVB / NJ, LIS / A, LP / J, MA / MyJ, MAS / A, NZB / BINJ, P / J, PL / J, RIIIS / J, RF / J, SEA / GnJ, SEC1 / ReJ, SJL / J, ST / bJ , TS1 / A, TW1 / A. YBR / Ei, 020 / A, 129 / J, SF / CamEi и SK / CamEi.

    Разработка антител hu3S193 против Льюиса-Y с улучшенным терапевтическим соотношением для радиоиммунотерапии эпителиального рака | EJNMMI Research

    Конструирование мутантных антител hu3S193

    Конструирование и продукция hu3S193 и huA33 были описаны ранее [31, 32]. Тяжелую цепь (HC) hu3S193 лигировали в вектор экспрессии млекопитающих pEE6.4 (Lonza Biologics, Slough, UK) с помощью двойного переваривания Hin dIII и Eco RI (pEE6.4 / hu3S193 HC). pEE6.4 / hu3S193 HC использовали в качестве матрицы для сайт-направленного мутагенеза (система сайт-направленного мутагенеза GeneTailor ™ (Invitrogen) или QuickChange II XL Site-Directed Mutagenesis Kit (Stratagene) для введения следующих замен в доменах Ch3 и Ch4 : I253A, h410A, h535A и I253A / h410A [25]. Легкая каппа-цепь hu3S193 была лигирована в вектор экспрессии млекопитающих pEE14.4, содержащий ген глутаминсинтетазы (Lonza Biologics) через двойной Hin dIII и Eco RI. переваривать.Для одновременной экспрессии каждого мутированного антитела hu3S193 гены легкой и мутированной тяжелой цепи клонировали в вектор с двойным геном (pDGV) с использованием двойного переваривания Not I и Pvu I. Клетки Freestyle 293-F (1 × 10 6 клеток / мл) трансфицировали конструкциями pDGV в соответствии с инструкциями производителя (Invitrogen). Супернатанты собирали через 96 ч после трансфекции. Антитела Hu3S193 очищали с использованием колонок HiTrap KappaSelect (GE Healthcare).Очищенные белки анализировали с помощью SDS-PAGE в невосстанавливающих условиях и оценивали эксклюзионной хроматографией на колонке Superdex 200 HR 10/30 (GE Healthcare), используя 0,01 моль / л фосфата натрия и 0,15 моль / л NaCl (pH 7,2) в качестве буфер для элюирования.

    Связывание in vitro с Lewis-Y и белком A мутантных антител hu3S193

    Связывающую активность антител hu3S193 по Lewis-Y определяли анализом BIAcore с использованием синтетического тетрасахарида Lewis-Y, связанного с BSA (Исследовательский совет Альберты, Эдмонтон, Альберта). , Канада) на микросхеме CM5 с использованием BIAcore 2000, как описано (BIAcore AB, Упсала, Швеция) [30].Образцы антител Hu3S193 разводили в буфере HBS (10 мМ HEPES, pH 7,4, 150 мМ NaCl, 3,4 мМ ди-Na-EDTA и 0,005% Твин 20). Аликвоты (60 мкл) впрыскивали на поверхность сенсорного чипа со скоростью 30 мкл / мин. После фазы впрыска за диссоциацией следили, пропуская HBS по поверхности чипа в течение 300 с. Связанные антитела элюировали, и поверхность чипа регенерировали между образцами путем инъекции 100 мМ HCl. Для кинетического анализа вводили различные концентрации hu3S193 дикого типа и мутантов (10, 19, 38, 75 и 150 нмоль / л).Общий анализ с использованием подгонки модели Ленгмюра 1: 1 был выполнен с использованием программного обеспечения для оценки BIA версии 4.1.1.

    Анализ клеточного сортировщика с активацией флуоресценции (FACS) был проведен на Lewis-Y-положительных клетках рака кожи A431. Аликвоты 2 × 10 5 клеток инкубировали с антителами hu3S193 (200 нмоль / л) в среде DMEM / F12, содержащей 10% фетальной телячьей сыворотки, на льду. После промывания клеток PBS клетки инкубировали с козьим фикоэритрином, конъюгированным с IgG человека (Sigma), и инкубировали на льду в течение 30 мин.Клетки промывали фосфатно-солевым буфером и ресуспендировали до конечного объема 300 мкл. В контрольных образцах первичное антитело не использовалось. Проточный цитометрический анализ проводили с использованием проточного цитометра Guava EasyCyte Plus. Популяции раковых клеток определялись на основе переменных прямого и бокового рассеяния. Анализ данных проводился с использованием WinMDI (Джозеф Троттер).

    Радиоактивная метка антител hu3S193

    Антитела Hu3S193 были радиоактивно мечены четырьмя изотопами: 125 I, 131 I, 111 In и 177 Lu.Йод-125 и лютеций-177 были получены от PerkinElmer (PerkinElmer Life and Analytical Sciences, Уолтем, Массачусетс), йод-131 был получен от ANSTO (ANSTO, Menai, Австралия), а индий-111 был получен от MDS Nordion (Канада).

    Радиойодирование проводили с использованием нейтрализованных pH изотопов, катализируемого стеклянными шариками, покрытыми йодогеном, как было опубликовано ранее [12, 33]. После 10-минутного инкубационного периода реакционную смесь очищали с помощью обессоливающей колонки Sephadex G50 (Sigma-Aldrich, Сидней, Австралия), уравновешенной 0.9% NaCl, содержащий 0,05% сывороточного альбумина человека.

    Радиоактивное мечение конструкций антитела hu3S193 индием-111 и лютецием-177 было выполнено с использованием бифункционального хелата ионов металла, C-функционализированного транс -циклогексилдиэтилентриаминпентауксусной кислоты (CHX-A ″ DTPA) [34, 35]. Использовали соотношение хелата к антителу 3: 1 с использованием 0,1 М бикарбонатного буфера натрия (pH 8,6), содержащего 0,9% NaCl. Инкубацию оставляли в течение 16 ч при комнатной температуре. В этих условиях ожидается от одного до двух хелатов на молекулу антитела.Смесь с радиоактивной меткой очищали через обессоливающую колонку Sephadex G50, уравновешенную 0,9% NaCl, содержащим 0,05% сывороточного альбумина человека.

    Радиоактивную метку проводили в день инъекции мышам. Перед инъекцией процент содержания несвязанного радионуклида определяли с помощью ITLC, как описано ранее [36]. Определение иммунореактивности радиоактивно меченных конструкций антител hu3S193 проводили с помощью анализа одноточечного связывания, в котором 10 × 10 6 Le y -положительных клеток A431 инкубировали с 20 нг радиоактивно меченых конструкций антител в течение 45 минут при комнатной температуре с непрерывное перемешивание, чтобы клетки оставались во взвешенном состоянии.Клетки промывали три раза и осадки измеряли на гамма-счетчике (Cobra II, модель 5002, Packard Instruments, Канберра, Австралия). Три образца меченого радиоактивным изотопом антитела в той же концентрации, что и первоначально добавленные к клеткам, измеряли одновременно с осаждением клеток, и рассчитывали иммунореактивность: (осажденных клеток в минуту / средние импульсы в минуту для стандартов радиоактивных антител) × 100. Анализировали стабильность сыворотки. путем определения иммунореактивности в день инъекции, через 48 часов и 7 дней после того, как 20 нг радиоактивно меченного антитела инкубировали в сыворотке человека при 37 ° C.

    Исследования клиренса крови

    Самкам бестимусных мышей (BALB / c nu / nu ; 4–6 недель; Центр ресурсов животных) в хвостовую вену вводили 0,185 МБк 125 I-мутант (2,5–5 мкг, 5 мкКи) и 0,185 МБк 131 I-hu3S193 (2,5–5 мкг, 5 мкКи) антитела дикого типа ( n = 5). Отдельной группе бестимусных мышей вводили 0,185 МБк 125 I-hu3S193 (2,5–5 мкг, 5 мкКи) и 0,185 МБк 111 In-hu3S193 (2.5–5 мкг, 5 мкКи) мутант ( n = 5). Все исследования на животных были одобрены Комитетом по этике животных больницы Остина и проводились в соответствии с австралийским кодексом практики NHMRC по уходу и использованию животных в научных целях. Образцы крови (10–20 мкл) отбирали у групп из пяти человек через 5 мин, 1, 2, 4, 8, 24, 48, 72, 120, 168, 240 и 336 ч после инъекции радиоактивных антител. Образцы подсчитывали на гамма-счетчике (Cobra II). Стандарты, приготовленные из введенного материала, каждый раз подсчитывались с образцами крови, что позволяло вносить поправки в вычисления на физический распад изотопа.

    Исследования биораспределения

    Исследования биораспределения проводились на бестимусных мышах без опухолей (BALB / c nu / nu , самки, 4–6 недель) или на мышах с опухолями A431 ( 111 In, 0,657 ± 0,216 г; 131 I, 0,515 ± 0,195 г; 177 Lu, 0,466 ± 0,086 г). Для изучения поглощения опухолью и биораспределения в нормальных тканях радиоактивного йода вариантов hu3S193 мышам BALB / c nu / nu , несущим опухоль A431, внутривенно внутривенно вводили 0.185–0,74 МБк (5–20 мкКи) 131 вариантов I-hu3S193 (2–6 мкг белка) и 0,185–0,74 МБк 125 I-hu3S193 дикого типа (2–6 мкг белка). Во втором исследовании 0,185–0,74 МБк 111 In-CHX-A ″ DTPA-меченный мутант (2–6 мкг белка) и 0,185–0,74 МБк 125 I-меченный hu3S193 дикого типа (2–6 мкг белка) были введены совместно. 111 In-CHX-A ″, меченный DTPA дикого типа, и 125 I-hu3S193 дикого типа также вводили в качестве контрольной группы. 125 I-hu3S193 дикого типа использовали в качестве внутреннего контроля для всех инъецированных животных, чтобы сделать возможным прямое сравнение между различными мутантами.Обычно группы из четырех-пяти мышей умерщвляли через 4, 24, 48, 72, 120, 168 и 240 или 288 ч после инъекции радиоактивно меченных антител. Для оценки 177 Lu-меченых антител мышей умерщвляли через 48 часов после инъекции. В назначенные моменты времени группы мышей ( n = 4–5) гуманно умерщвляли путем чрезмерной ингаляции изофлурана. У мышей брали кровь путем пункции сердца, и опухоли и органы (кожа, печень, селезенка, тонкий кишечник, желудок, почки, мозг, кость (бедренная кость), легкие и сердце) немедленно удаляли и промокали насухо.Все образцы взвешивали и подсчитывали на двойном гамма-сцинтилляционном счетчике (Cobra II, Packard Instruments). Стандарты в трех экземплярах, приготовленные из вводимого материала, подсчитывали в каждый момент времени с образцами тканей и опухолей, что позволяло вносить поправки в вычисления на физический распад изотопов. Результаты распределения радиоактивно меченых антител во времени рассчитывали как средний процент введенной дозы на грамм (% ID / г ± стандартное отклонение) для каждого мутанта и родительского hu3S193 на момент времени.

    Фармакокинетический анализ и прогностическая дозиметрия

    Концентрации антител в сыворотке выражали как процент введенной дозы на миллилитр (% ID / мл), и рассчитывали концентрации в крови (мкг / мл).Двухкомпонентная модель болюса для внутривенного введения с макропараметрами, без задержки и элиминацией первого порядка (WinNonlin Model 8) была адаптирована к данным сыворотки, полученным в результате исследований клиренса крови для каждого животного с использованием невзвешенного нелинейного метода наименьших квадратов с WinNonLin версии 5.2 ( Pharsight Corp., Маунтин-Вью, Калифорния). Оценки были определены для фармакокинетических параметров: период полувыведения альфа ( т 1 / 2α ), период полураспада бета ( т 1 / 2β ), площадь под кривой, экстраполированная на бесконечность (AUC 0-∞ ), и среднее время пребывания (MRT).Период полужизни альфа мутантного hu3S193 должен был быть меньше или равным периоду полужизни альфа hu3S193 дикого типа. Значительные различия в этих значениях были изучены путем сравнения коэффициента вариации (CV%) для оцененных параметров.

    Для оценки радиоиммунотерапевтических применений для 90 Y- или 177 Lu-меченых мутантов, данные биораспределения, полученные с 111 In-CHX-A ″ DTPA-меченными антителами, были использованы для построения кривых зависимости активности от времени для расчета прогнозные дозы облучения для костного мозга, печени, почек и опухоли.Предполагалось идентичное биораспределение и биологический клиренс 111 In-, 90 Y- и 177 Lu-меченых антител. Прогностический дозиметрический анализ был также проведен для 131 I-меченых антител на основании данных биораспределения, полученных с 125 I-меченых антител. Поскольку поглощенные дозы излучения пропорциональны% ID / г, кривые зависимости активности от времени для крови, печени, почек и опухоли были интегрированы с течением времени для расчета площади под кривой (AUC).Кривые зависимости активности от времени, полученные на основе данных биораспределения, были скорректированы на радиоактивный распад. Следовательно, фармакокинетические значения, рассчитанные на основе таких данных, относятся к фармакологическим значениям антител в отсутствие радиоизотопа. Соответствующие поправки на физический период полураспада были применены для преобразования% ID фармакологического / г в% ID радиоизотопа / г, а кривые время-активность соответствовали двух- или трех экспоненциальной функции, из которой определялась AUC для . 90 Y, 177 Lu и 131 I.Интегрирование AUC от нуля до бесконечности было выполнено путем суммирования трапециевидного интегрирования диапазона измерения (AUC 0–288 ч ) плюс экстраполированная модель, подходящая для экстраполированного диапазона (AUC 288 ч – ∞ ). Для расчета накопленной активности не учитывались доза фотонов и краевые эффекты. Дозу для красного костного мозга определяли по концентрациям в крови с использованием исходного значения 0,1 [21].

    Нано-ОФЭКТ и МРТ

    Все сканирование ОФЭКТ и МРТ выполнялось на системе визуализации нано-ОФЭКТ / КТ мелких животных и системе визуализации нано-ПЭТ / МРТ мелких животных (Mediso nano-Scan PM , Mediso Medical Imaging Systems, Будапешт, Венгрия) индивидуально.Группам из двух мышей инъецировали 3,7 МБк (270 мкг) 177 Lu-CHX-A ″ DTPA-меченного антитела (huA33 дикого типа, hu3S193 дикого типа или hu3S193 I253A / h410) и последовательно визуализировали через 2 дня после инъекции. Процедуры визуализации включали анестезию мышей изофлураном. Каждую мышь сканировали в положении лежа на спине с закреплением головы с помощью ушей и зубных планок. Дыхание контролировалось чувствительной к давлению подушечкой, прикрепленной к животу. Исследование изображений началось с Т1-взвешенного МРТ-сканирования всего тела, за которым следовало 60-минутное сканирование ОФЭКТ, которое было преобразовано в объемное изображение с размером вокселя 0.3 мм × 0,3 мм × 0,3 мм с использованием алгоритма Mediso Tera-TOMO® на основе Монте-Карло. Впоследствии восстановленные изображения SPECT и MR были переданы в исследовательскую систему PACS, где изображения можно было извлечь для дальнейшей обработки и анализа.

    Для подтверждения данных, полученных при визуализации, группам из пяти мышей с опухолями A431 инъецировали 6,29 МБк (100 мкг) 177 Lu-CHX-A ″ DTPA-меченное антитело (huA33 дикого типа, hu3S193 дикого типа или hu3S193 I253A / h410) и умерщвляли через 48 ч после инъекции.